专家
公告
财富商城
电子网
旗下网站
首页
问题库
专栏
标签库
话题
专家
NEW
门户
发布
提问题
发文章
STM32
PSRAM有什么常用的型号?
2019-07-14 18:28
发布
×
打开微信“扫一扫”,打开网页后点击屏幕右上角分享按钮
站内问答
/
STM32/STM8
13905
7
974
各位大侠,第一次使用PSRAM,还能指教指教你们一般常用的PSRAM的型号都是什么?价格如何?
友情提示:
此问题已得到解决,问题已经关闭,关闭后问题禁止继续编辑,回答。
该问题目前已经被作者或者管理员关闭, 无法添加新回复
7条回答
qwe045
1楼-- · 2019-07-15 02:42
精彩回答 2 元偷偷看……
加载中...
youpukeji668
2楼-- · 2019-07-15 03:05
还没用过,帮顶
加载中...
JasonXiong
3楼-- · 2019-07-15 08:17
品牌:美国赛普拉斯(Cypress)
型号:CYK512K16SCCA
特性:
◆先进的低功耗 MoBL(More Battery Life)架构。
◆高速运作性:55nS、70nS(奈秒)。
◆宽裕的运作电压范畴:2.7∼3.3V。
◆运作中的耗用电流(典型值):2mA(工作频率为 1MHz 时)。
◆运作中的耗用电流(典型值):11mA(工作频率为最高频率时)。
◆待备(Stand-by)时低功耗。
◆芯片未被选择到时自动进入低功耗(Power-Down)状态。
◆适合手机之类的手持式应用。 德国奇梦达(Qimonda)-HYE18P128160AF-12.5
◆1.8V 的核心电压与 I/O 电压。
◆合乎 CellularRAM 1.0、1.5 规范的标准。
◆针对无线应用而设计。
◆可用「异步/分页模式」或「同步爆发」模式运作。
◆异步工作时的存取间隔为 70nS/85nS。
◆同步爆发(Sync burst)模式运作时可达 66MHz/80MHz/104MHz。
◆免刷新(Refresh)的运作。
◆直接在芯片上设置温度传感器。
品牌:美国美光(Micron)
型号:MT45W8MW16BGX
特性:
◆合乎 CellularRAM 1.5 规范的标准
◆支持异步、分页、以及爆发等模式的运作
◆随机存取时间:70nS
◆合乎欧洲 RoHS 规范与大陆 RoHS 规范
◆核心电压工作范畴:1.7V∼1.95V
◆I/O 电压工作范畴:1.7V∼3.3V
◆适合的应用:医疗、商业与产业、车用、安全、行动、扫描仪
◆适合的应用:导航定位、测试与量测、消费性手持式装置、电信
品牌:台湾钰创(Etron)
型号:EM567168BC
特性;
◆记忆组织:2M x16。
◆快速的周期时间:55nS、70nS。
◆待备(Stand-by)状态下的用电:100uA。
◆深度低功耗(Deep Power-Down)下的用电:10uA(数据不可存取)。
◆数据存取宽度的控制:LB#(DQ0∼7)、UB#(DQ8∼15)。
◆相容于低功耗的 SRAM(Low Power SRAM)。
◆单一的供电电压:3.0V 正负 0.3V。
◆封装型态:48 个接脚,FBGA 封装,6x8mm 尺寸。
品牌:韩国JSC
型号:EM7164SU16
特性:
◆记忆组织:1M x16。
◆工作电压范畴:2.7V∼3.3V。
◆分立的 I/O 供电(VccQ)与核心供电(Vcc)。
◆三态输出(高、低、浮接)。
◆透过#UB 接脚、#LB 接脚可控制字节(Byte)的读写。
◆运用#ZZ 接脚可支持直接深度低功耗(Direct Power Down)控制。
◆自动化的 TCSR 可节省用电。
◆芯片封装方式:48 个接脚,FPBGA 封装,6.0x7.0 尺寸。
品牌:南韩海力士(Hynix)
型号;HY64UD16322M
特性:
◆记忆组织:2M x16。
◆CMOS 制程技术。
◆逻辑准位兼容于 TTL,并具备三态(Tri-State)输出。
◆深度低功耗(Deep Power-Down)模式。
◆标准的接脚组态配置:48 个接脚,FBGA 封装。
◆透过/LB、/UB 接脚可行使数据屏蔽(Data Mask)功效。
◆工作电压范畴:2.7V∼3.3V。
◆工作温度范畴:摄氏-25∼85 或-40∼85 度。 南韩 Silicon 7-SV6P3215UFB
◆标准的异步 SRAM 接口。
◆已历验证的 Silicon CompactCell SRAM 可用于高密度、低功耗与成本取向的应用。
◆记忆组织:2M x16。
◆工作电压范畴:2.7V∼3.3V。
◆封装方式:48 个接脚,FPGA 封装。
◆逻辑准位兼容于 TTL,并具备三态(Tri-State)输出。
◆适合的应用:手机、PDA、以及其它用电池运用的消费性产品。
◆运作上可选择正常(Normal)模式或双 CS(Dual CS)模式。
品牌:南韩三星半导体(Samsung)
型号:K1S56161CM
特性:
◆使用 CMOS 制程技术。
◆记忆组织:16M x16。
◆内部的 TCSR。
◆工作电压范畴:2.7V∼3.1V。
◆存取间隔速度:70nS。
◆工作温度范畴:摄氏-40∼85 度。
◆100%回溯兼容于 SRAM 接口。
◆支持分页(Page)模式。
加载中...
JasonXiong
4楼-- · 2019-07-15 10:09
主推这款,我们有现货,交期稳定,价格优势,
深圳市英尚微电子有限公司
电话:0755-66658299
QQ:3161422826
品牌:韩国JSC
型号:EM7164SU16
特性:
◆记忆组织:1M x16。
◆工作电压范畴:2.7V∼3.3V。
◆分立的 I/O 供电(VccQ)与核心供电(Vcc)。
◆三态输出(高、低、浮接)。
◆透过#UB 接脚、#LB 接脚可控制字节(Byte)的读写。
◆运用#ZZ 接脚可支持直接深度低功耗(Direct Power Down)控制。
◆自动化的 TCSR 可节省用电。
◆芯片封装方式:48 个接脚,FPBGA 封装,6.0x7.0 尺寸。
加载中...
TONY_S
5楼-- · 2019-07-15 14:59
楼主,现在我也想用PSRAM,你有什么好的推荐吗?有什么好的PSRAM可以省引脚的?在哪里可以买得到?价钱如何?
加载中...
shuqingli
6楼-- · 2019-07-15 20:05
精彩回答 2 元偷偷看……
加载中...
1
2
下一页
一周热门
更多
>
相关问题
STM32F4上I2C(在PROTEUS中模拟)调试不通的问题
6 个回答
芯片供应紧张,准备换个MCU,MM32L系列替换STM32L系列的怎么样?
7 个回答
STM32同时使用两个串口进行数据收发时数据丢包的问题
5 个回答
STM32F103串口通信死机问题
4 个回答
STM32WLE5CC连接SX1268在LoRa模式下能与 SX1278互通吗?
2 个回答
STM32开发板免费用活动
7 个回答
stm32 处理 DHT11占用太多时间,大家程序是怎么设计的
8 个回答
分享一个STM32单片机做的离线编程器代码
9 个回答
相关文章
ST公司第一款无线低功耗单片机模块有效提高物联网设计生产效率
0个评论
如何实现对单片机寄存器的访问
0个评论
通过USB用STM32片内自带Bootloader下载程序及注意事项
0个评论
欲练此功必先自宫之STM32汇编启动,放慢是为了更好的前行
0个评论
×
关闭
采纳回答
向帮助了您的网友说句感谢的话吧!
非常感谢!
确 认
×
关闭
编辑标签
最多设置5个标签!
STM32
保存
关闭
×
关闭
举报内容
检举类型
检举内容
检举用户
检举原因
广告推广
恶意灌水
回答内容与提问无关
抄袭答案
其他
检举说明(必填)
提交
关闭
×
关闭
您已邀请
15
人回答
查看邀请
擅长该话题的人
回答过该话题的人
我关注的人
型号:CYK512K16SCCA
特性:
◆先进的低功耗 MoBL(More Battery Life)架构。
◆高速运作性:55nS、70nS(奈秒)。
◆宽裕的运作电压范畴:2.7∼3.3V。
◆运作中的耗用电流(典型值):2mA(工作频率为 1MHz 时)。
◆运作中的耗用电流(典型值):11mA(工作频率为最高频率时)。
◆待备(Stand-by)时低功耗。
◆芯片未被选择到时自动进入低功耗(Power-Down)状态。
◆适合手机之类的手持式应用。 德国奇梦达(Qimonda)-HYE18P128160AF-12.5
◆1.8V 的核心电压与 I/O 电压。
◆合乎 CellularRAM 1.0、1.5 规范的标准。
◆针对无线应用而设计。
◆可用「异步/分页模式」或「同步爆发」模式运作。
◆异步工作时的存取间隔为 70nS/85nS。
◆同步爆发(Sync burst)模式运作时可达 66MHz/80MHz/104MHz。
◆免刷新(Refresh)的运作。
◆直接在芯片上设置温度传感器。
品牌:美国美光(Micron)
型号:MT45W8MW16BGX
特性:
◆合乎 CellularRAM 1.5 规范的标准
◆支持异步、分页、以及爆发等模式的运作
◆随机存取时间:70nS
◆合乎欧洲 RoHS 规范与大陆 RoHS 规范
◆核心电压工作范畴:1.7V∼1.95V
◆I/O 电压工作范畴:1.7V∼3.3V
◆适合的应用:医疗、商业与产业、车用、安全、行动、扫描仪
◆适合的应用:导航定位、测试与量测、消费性手持式装置、电信
品牌:台湾钰创(Etron)
型号:EM567168BC
特性;
◆记忆组织:2M x16。
◆快速的周期时间:55nS、70nS。
◆待备(Stand-by)状态下的用电:100uA。
◆深度低功耗(Deep Power-Down)下的用电:10uA(数据不可存取)。
◆数据存取宽度的控制:LB#(DQ0∼7)、UB#(DQ8∼15)。
◆相容于低功耗的 SRAM(Low Power SRAM)。
◆单一的供电电压:3.0V 正负 0.3V。
◆封装型态:48 个接脚,FBGA 封装,6x8mm 尺寸。
品牌:韩国JSC
型号:EM7164SU16
特性:
◆记忆组织:1M x16。
◆工作电压范畴:2.7V∼3.3V。
◆分立的 I/O 供电(VccQ)与核心供电(Vcc)。
◆三态输出(高、低、浮接)。
◆透过#UB 接脚、#LB 接脚可控制字节(Byte)的读写。
◆运用#ZZ 接脚可支持直接深度低功耗(Direct Power Down)控制。
◆自动化的 TCSR 可节省用电。
◆芯片封装方式:48 个接脚,FPBGA 封装,6.0x7.0 尺寸。
品牌:南韩海力士(Hynix)
型号;HY64UD16322M
特性:
◆记忆组织:2M x16。
◆CMOS 制程技术。
◆逻辑准位兼容于 TTL,并具备三态(Tri-State)输出。
◆深度低功耗(Deep Power-Down)模式。
◆标准的接脚组态配置:48 个接脚,FBGA 封装。
◆透过/LB、/UB 接脚可行使数据屏蔽(Data Mask)功效。
◆工作电压范畴:2.7V∼3.3V。
◆工作温度范畴:摄氏-25∼85 或-40∼85 度。 南韩 Silicon 7-SV6P3215UFB
◆标准的异步 SRAM 接口。
◆已历验证的 Silicon CompactCell SRAM 可用于高密度、低功耗与成本取向的应用。
◆记忆组织:2M x16。
◆工作电压范畴:2.7V∼3.3V。
◆封装方式:48 个接脚,FPGA 封装。
◆逻辑准位兼容于 TTL,并具备三态(Tri-State)输出。
◆适合的应用:手机、PDA、以及其它用电池运用的消费性产品。
◆运作上可选择正常(Normal)模式或双 CS(Dual CS)模式。
品牌:南韩三星半导体(Samsung)
型号:K1S56161CM
特性:
◆使用 CMOS 制程技术。
◆记忆组织:16M x16。
◆内部的 TCSR。
◆工作电压范畴:2.7V∼3.1V。
◆存取间隔速度:70nS。
◆工作温度范畴:摄氏-40∼85 度。
◆100%回溯兼容于 SRAM 接口。
◆支持分页(Page)模式。
深圳市英尚微电子有限公司
电话:0755-66658299
QQ:3161422826
品牌:韩国JSC
型号:EM7164SU16
特性:
◆记忆组织:1M x16。
◆工作电压范畴:2.7V∼3.3V。
◆分立的 I/O 供电(VccQ)与核心供电(Vcc)。
◆三态输出(高、低、浮接)。
◆透过#UB 接脚、#LB 接脚可控制字节(Byte)的读写。
◆运用#ZZ 接脚可支持直接深度低功耗(Direct Power Down)控制。
◆自动化的 TCSR 可节省用电。
◆芯片封装方式:48 个接脚,FPBGA 封装,6.0x7.0 尺寸。
一周热门 更多>