是对位操作的，如果flash里改位是1，那可以把其改为0，如果是0，那只能擦除了。可以用位做计数用，节约擦除次数。

滔滔不绝的滔滔 发表于 2018-8-15 08:14
是对位操作的，如果flash里改位是1，那可以把其改为0，如果是0，那只能擦除了。可以用位做计数用，节约擦除次数。

用位做计数用？如果将flash的写入看作位操作，加入某已经写入的32位数据0x00000003，是不是再次写入0x00000001是可以的，但实际测试是不行的

STM32的Flash写入不是按位写入的，而是按照半字或者字写入的，也就是两个字节或者四个字节，一个字节一个字节的写入都不可以，更不要说是1个比特了。如果Flash中已经有了数据，想只改变部分数据，只能通过读取Flash中的数据保存在RAM中，修改RAM中的数据后擦除整页的Flash然后把RAM中的数据按照半字或者字进行写入。

1.STM的一些芯片FLASH擦除后是0，而不是0xFF，具休看datasheet.
2.STM的一些芯片（测试过F407）支持位写入，即如果擦除后为0xFF，则可分几次将位置0，但不能置1.例如可以按顺序写入以下数据：0xFE  0xFC  0xF8  0xF0  0x70  0x30  0x10 0x00，如第一次就写入0x00,那后续不能改成其他数据了。如果擦除后分别写入0xF0  0x0F  则结果是0x00;
3.STM的一些芯片只支持字节写入，即写入第一次后不能更改了，除非擦除。

ctx1129 发表于 2018-8-15 08:19
用位做计数用？如果将flash的写入看作位操作，加入某已经写入的32位数据0x00000003，是不是再次写入0x00000001是可以的，但实际测试是不行的

要看具体DATASHEET，
1.一些型号的FLASH擦除状态是0x00的，支持0->1，不支持1->0。
2.一些型号支持位操作，一些型号不支持位操作。