//延时
void DelayUs2x(unsigned char t)
{   
while(--t);
}


void DelayMs(unsigned char t)
{

while(t--)
{
     //大致延时1mS
     DelayUs2x(245);
         DelayUs2x(245);
}
}


//DS18B20.c


bit Init_DS18B20(void)
{
bit dat=1;
DQ = 0;    //DQ复位
DelayUs2x(5);   //稍做延时
DQ = 1;         //单片机将DQ拉低
DelayUs2x(200); //精确延时 大于 480us 小于960us
DelayUs2x(200);
DQ = 1;        //拉高总线
DelayUs2x(50); //15~60us 后 接收60-240us的存在脉冲
DQ=1;
dat=DQ;        //如果x=0则初始化成功, x=1则初始化失败
DelayUs2x(25);
  //稍作延时返回
return dat;
}
/*------------------------------------------------
                    写入一个字节
------------------------------------------------*/
void WriteOneChar(unsigned char dat)
{
unsigned char i=0;
for (i=8; i>0; i--)
{
  DQ = 0;
  DQ = dat&0x01;
  DelayUs2x(25);
  DQ = 1;
  dat>>=1;
}
DelayUs2x(25);
}
/*------------------------------------------------
                    读取一个字节
------------------------------------------------*/
unsigned char ReadOneChar(void)
{
unsigned char i=0;
unsigned char dat = 0;
for (i=8;i>0;i--)
{
  DQ = 0;
  _nop_();
  DQ=1; // 给脉冲信号
  dat>>=1;
  DQ = 1; // 给脉冲信号
  if(DQ)
   dat|=0x80;
   DQ=1;
  DelayUs2x(25);
}
return(dat);
}


/*------------------------------------------------
                    读取温度
------------------------------------------------*/
unsigned int ReadTemperature(void)
{
unsigned char a=0;
unsigned int b=0;
unsigned int t=0;
Init_DS18B20();
WriteOneChar(0xCC); // 跳过读序号列号的操作
WriteOneChar(0x44); // 启动温度转换
DelayMs(10);
Init_DS18B20();
WriteOneChar(0xCC); //跳过读序号列号的操作
WriteOneChar(0xBE); //读取温度寄存器等（共可读9个寄存器） 前两个就是温度
a=ReadOneChar();   //低位
b=ReadOneChar();   //高位

b<<=8;
t=a+b;

return(t);
}         
救命 调试好几天了。