本帖最后由 wulinwl 于 2017-1-31 16:51 编辑

lazy-zq 发表于 2017-1-31 14:24
电阻是图上标注的值，NPN三极管是J3Y ,PNP三极管是2TY，换了好几个PNP三极管了，上电2-3秒就烧掉了

使用图腾柱电路驱动mos管的目的是为了快速翻转，降低mos管翻转期的功耗，mos管是电压控制型，驱动管只是流过其结电容充放电电流和偏置电阻的偏置电流，这个电流瞬时值较大，平均值极小不至于烧驱动管。建议分段检查，能够在几秒中烧坏管子，电流一定在100mA以上。两个驱动管不会同时导通，怀疑mos管栅极漏电？

Q1，Q2反了，还有这个图腾柱电路多余，4脚的光隔速度就KHz，后级反应再快受光隔的影响，整体速度也提不高，用一个三极管足够，特殊要求要图腾柱话，这电路也不合适，光隔有0.7Ⅴ左右压降，就算光隔开通，驱动端电压也不为0，找个完善点参考电路，另两个三极管的参数必须匹配，PNP应比NPN稍快，

感谢太子的解答，经过仔细检查，发现R10的电阻焊接的是10k的，导致光耦输出呈现阻态，进而导致Q1.Q2同时导通，烧毁三极管
现将R10更换为2K，电路已经调试OK

谢谢支持。以后大家可以相互交流，相互学习增长知识。