/* 实际适用于MSP430x2xx系列单片机，包含以下10个常用功能函数：
(1)初始化。Flash_Init(unsigned char Div,unsigned char Seg )：依据SMCLK频率计算设定Flash的时
钟的分频系数，靠Seg段号码确定计划操作的段起始地址。
(2)整段擦除。Flash_Erase()：段擦除函数。
(3)读字节。Flash_ReadChar(unsigned int Addr)：读取偏移地址Addr位置1个字节的数据。
(4)读字。Flash_ReadWord(unsigned int Addr)：读取偏移地址Addr位置1个字的数据。
(5)读一串字节到RAM数组。Flash_ReadSeg(unsigned int Addr, unsigned int SegSize,char *
Array)：读取起始偏移地址为Addr，长度SegSize个字节数据到RAM的Array数组。
(6)直接写1个字节。Flash_Direct_WriteChar(unsigned int Addr)：直接写偏移地址Addr位置1个字节
的数据。
(7)直接写1个字。Flash_Direct_WriteWord(unsigned int Addr)：直接写偏移地址Addr位置1个字的数
据。
(8)备份后写1字节。Flash_Bak_WriteChar(unsigned int Addr)：先备份段内其他数据，擦写后，在偏
移地址Addr位置写1个字节的数据，再还原段内其他数据。（仅限信息flash段，使用RAM备份）
(9)备份后写1个字。Flash_Bak_WriteWord(unsigned int Addr)：先备份段内其他数据，擦写后，在偏
移地址Addr位置写1个字的数据，再还原段内其他数据。（仅限信息flash段，使用RAM备份）。
(10)读SegA专用函数。Flash_SegA_ReadChar(unsigned int Addr)：读取SegA段偏移地址Addr位置1
个字节的数据。
说明： 1、块写函数需要在RAM中调用函数指针来使用，本库函数未涉及
2、其他长字节的数据类型读写需使用结构体，本库函数未涉及
3、所有函数均针对无符号整型数据，如需使用有符号整型，需修改函数
4、对InfoA段单独处理，只有读字节函数Flash_SegA_ReadChar()，不提供擦写函数。
5、其他函数的段操作首地址SegAddr被Flash_Init()函数“限定”，不易发生误写 */
#include "MSP430G2553.h"
unsigned int SegAddr=0; //全局变量
unsigned int SegPre=0; //全局变量 当前信息段
/******************************************************************************************************
* 名 称：Flash_Init()
* 功 能：对Flash时钟进行初始化设置
* 入口参数：Div：根据SMCLK频率计算的所需分频值，可设定为1-64
* 选择原则: SMCLK分频后,落在257kHz~476kHz
* Seg：段号，可设为"0"-"31"或”"A"、"B"、"C"、"D"。
* 出口参数：1：配置成功
* 0：配置失败
* 说 明：操作Flash其他函数前，需要调用该初始化函数设置时钟分频和待操作段首地址。
* 其他函数中均不出现绝对地址，防止误操作。
* 范 例： Flash_Init(3,'B' ) 3分频、对Info B段操作
******************************************************************************************************/
unsigned char Flash_Init(unsigned char Div,unsigned char Seg )
{
//-----设置Flash的时钟和分频，分频为恰好为最低位，直接用Div-1即可-----
if(Div<1) Div=1;
if(Div>64) Div=64;
FCTL2 = FWKEY + FSSEL_2 + Div-1; // 默认使用SMCLK，分频系数参数传入
//-----操作对象为主Flash段的情况，可通过512的倍数设置段起始地址-----
SegPre = Seg; //获取当前段
if (Seg <= 31) //判断是否处于主Flash段
{
SegAddr=0xFFFF-(Seg+1)*512+1; //计算段起始地址
return(1); //赋值成功后即可退出并返回成功标志”1“
}
//-----操作对象为信息Flash段的情况，穷举即可-----
switch(Seg) //判断是否处于信息Flash段
{
case 'A': case'a': SegAddr=0x10C0; break;
case 'B': case'b': SegAddr=0x1080; break;
case 'C': case'c': SegAddr=0x1040; break;
case 'D': case'd': SegAddr=0x1000; break;
default: SegAddr=0x20FF; return(0); //0x20FF地址为空白区，保护Flash
}
return(1);
}
/******************************************************************************************************
* 名 称：Flash_Erase()
* 功 能：擦除Flash的一个数据块，擦写段由初始化函数 Flash_Init()的SegAddr变量决定
* 入口参数：无
* 出口参数：无
* 说 明：函数中给出了擦除InfoFlashA段的操作代码（已注释掉了），但不建议初学者使用。
* 范 例：无
******************************************************************************************************/
void Flash_Erase()
{
unsigned char *Ptr_SegAddr; //Segment pointer
Ptr_SegAddr = (unsigned char *)SegAddr; //Initialize Flash pointer
FCTL1 = FWKEY + ERASE; //段擦除模式
FCTL3 = FWKEY; //解锁
//FCTL3 = FWKEY+LOCKA; //对InfoFlashA也解锁
_DINT();
*Ptr_SegAddr = 0; //擦除待操作段
while(FCTL3&BUSY); //Busy
_EINT();
FCTL1 = FWKEY; //取消擦模式
FCTL3 = FWKEY+LOCK; //上锁
// FCTL3 = FWKEY+LOCK+LOCKA; //对InfoFlashA也上锁
}
/******************************************************************************************************
* 名 称：Flash_ReadChar()
* 功 能：从Flash中读取一个字节
* 入口参数：Addr:存放数据的偏移地址
* 出口参数：Data：读回的数据；当偏移溢出时返回0
* 说 明：无
* 范 例：无
******************************************************************************************************/
unsigned char Flash_ReadChar (unsigned int Addr)
{
unsigned char Data=0;
unsigned int *Ptr_SegAddr,temp=0; //Segment pointer
//----- 段范围限定。为了内存管理安全，只允许本段操作-----
if((SegPre<=31&&Addr>=512) ||(SegPre>31&&Addr>=64) )
return 0;
temp =SegAddr+Addr;
Ptr_SegAddr =(void*)temp; //initialize Flash pointer
Data=*(Ptr_SegAddr);
return(Data);
}
/******************************************************************************************************
* 名 称：Flash_ReadWord()
* 功 能：从FlashROM读回一个整型变量，地址应为偶数
* 入口参数：Addr:存放数据的偏移地址，仍按字节计算，需为偶数
* 出口参数：Data：读回的整型变量值 ；当偏移溢出时返回0
* 说 明：无
* 范 例：无
******************************************************************************************************/
unsigned int Flash_ReadWord (unsigned int Addr)
{
unsigned int *Ptr_SegAddr;
unsigned int temp=0,Data=0; //Segment pointer
//----- 段范围限定。为了内存管理安全，只允许本段操作-----
if((SegPre<=31&&Addr>=512) ||(SegPre>31&&Addr>=64) )
return 0;
temp = SegAddr+Addr;
Ptr_SegAddr = (void *)temp; //Initialize Flash pointer
Data=*(Ptr_SegAddr);
return(Data);
}
/******************************************************************************************************
* 名 称：Flash_ReadSeg()
* 功 能：将Flash段内一串数据拷贝到RAM的Array数组
* 入口参数：Addr：起始偏移地址
* SegSize：数据个数
* *Array：RAM中数组的头指针
* 出口参数：返回出错信息 0:偏移溢出 ；1:正常工作
* 说 明：无
* 范 例：无
******************************************************************************************************/
char Flash_ReadSeg(unsigned int Addr, unsigned int SegSize,unsigned char * Array)
{
unsigned int i=0,temp=0;
unsigned char *Ptr_SegAddr; //Segment pointer
//----- 段范围限定。为了内存管理安全，只允许本段操作-----
if((SegPre<=31&&(Addr+SegSize)>512) ||(SegPre>31&&(Addr+SegSize)>64) )
return 0;
for(i=0;i<SegSize;i++)
{
temp=SegAddr+Addr+i; //防止编译器处理指针偏移出错
Ptr_SegAddr = (unsigned char *)temp; //Initialize Flash pointer
Array=*Ptr_SegAddr; //指针移位方法赋值
}
return 1;
}
/******************************************************************************************************
* 名 称：Flash_Direct_WriteChar()
* 功 能：强行向Flash中写入一个字节(Char型变量)，而不管是否为空
* 入口参数：Addr:存放数据的偏移地址
Data:待写入的数据
* 出口参数：返回出错信息 0:偏移溢出 ；1:正常工作
* 范 例：Flash_Direct_WriteChar(0,123);将常数123写入0单元
Flash_Direct_WriteChar(1,a);将整型变量a写入1单元
******************************************************************************************************/
char Flash_Direct_WriteChar (unsigned int Addr,unsigned char Data)
{
unsigned int temp=0;
unsigned char *Ptr_SegAddr; //Segment pointer
//----- 段范围限定。为了内存管理安全，只允许本段操作-----
if((SegPre<=31&&Addr>=512) ||(SegPre>31&&Addr>=64) )
return 0;
temp = SegAddr+Addr;
Ptr_SegAddr = (unsigned char *)temp; //Initialize Flash pointer
FCTL1=FWKEY+WRT; //正常写状态
FCTL3=FWKEY; //解除锁定
// FCTL3=FWKEY+LOCKA; //解除锁定（包括A段）
_DINT(); //关总中断
*Ptr_SegAddr=Data; //指定地址，写1字节
while(FCTL3&BUSY); //等待操作完成
_EINT(); //开总中断
FCTL1=FWKEY; //退出写状态
FCTL3=FWKEY+LOCK; //恢复锁定，保护数据
// FCTL3=FWKEY+LOCK+LOCKA; //恢复锁定，保护数据（包括A段）
return 1;
}
/******************************************************************************************************
* 名 称：Flash_Direct_WriteWord()
* 功 能：强行向Flash中写入一个字型变量，而不管存储位置是否事先擦除
* 入口参数：Addr:存放数据的偏移地址，仍按字节计算，需为偶数
Data:待写入的数据
* 出口参数：返回出错信息 0:偏移溢出 ；1:正常工作
* 范 例：Flash_Direct_WriteWord(0,123);将常数123写入0单元
Flash_Direct_WriteWord(2,a);将整型变量a写入2单元
******************************************************************************************************/
char Flash_Direct_WriteWord (unsigned int Addr,unsigned int Data)
{
unsigned int temp=0;
unsigned int *Ptr_SegAddr; //Segment pointer
//----- 段范围限定。为了内存管理安全，只允许本段操作-----
if((SegPre<=31&&Addr>=512) ||(SegPre>31&&Addr>=64) )
return 0;
temp=SegAddr+Addr;
Ptr_SegAddr = (unsigned int *)temp; //Initialize Flash pointer
FCTL1=FWKEY+WRT; //正常写状态
FCTL3=FWKEY; //解除锁定
// FCTL3=FWKEY+LOCKA; //解除锁定（包括A段）
_DINT(); //关总中断
*Ptr_SegAddr=Data; //写16位字
while(FCTL3&BUSY); //等待操作完成
_EINT(); //开总中断
FCTL1=FWKEY; //退出写状态
FCTL3=FWKEY+LOCK; //恢复锁定，保护数据
// FCTL3=FWKEY+LOCK+LOCKA; //恢复锁定，保护数据（包括A段）
return 1;
}
/********************************************************************************************* *********
* 名 称：Flash_Bak_WriteChar()
* 功 能：不破坏段内其他数据，向Flash中写入一个字节(Char型变量)
* 入口参数：Addr:存放数据的地址
Data:待写入的数据
* 出口参数：返回出错信息 0:偏移溢出 ；1:正常工作
* 范 例：Flash_Bak_WriteChar(0,123);将常数123写入0单元
Flash_Bak_WriteChar(1,a);将变量a写入1单元
******************************************************************************************************/
char Flash_Bak_WriteChar (unsigned char Addr,unsigned char Data)
{
unsigned int temp=0;
unsigned char *Ptr_SegAddr; //Segment pointer
unsigned char BackupArray[64]; //开辟64字节的临时RAM备份Seg
unsigned char i = 0;
//----- 段范围限定。为了内存管理安全，只允许本段操作-----
if((SegPre<=31&&Addr>=512) || (SegPre>31&&Addr>64) )
return 0;
for(i=0;i<64;i++)
{
temp=SegAddr+i;
Ptr_SegAddr = (unsigned char *)temp; //Initialize Flash pointer
BackupArray=*Ptr_SegAddr; //指针移位方法赋值
}
Flash_Erase(); //擦除待操作段
FCTL1 = FWKEY + WRT; //正常写入（非块写）
FCTL3 = FWKEY ; //解锁
// FCTL3 = FWKEY ; //解锁（含A段）
for (i=0; i<64; i++)
{
_DINT(); //关总中断
if(i==Addr)
{
temp=SegAddr+Addr;
Ptr_SegAddr = (unsigned char *)temp; //Initialize Flash pointer
*Ptr_SegAddr =Data; //写数据
while(FCTL3&BUSY); //等待写操作完成
}
else
{
temp=SegAddr+i;
Ptr_SegAddr = (unsigned char *)temp; //Initialize Flash pointer
*Ptr_SegAddr = BackupArray; //恢复Flash内的其他数据
while(FCTL3&BUSY); //等待写操作完成
}
_EINT(); //开总中断
}
FCTL1 = FWKEY; //清除写
FCTL3 = FWKEY + LOCK; //上锁
// FCTL3 = FWKEY + LOCK; //上锁（含A段）
return 1;
}
/******************************************************************************************************
* 名 称：Flash_Bak_WriteWord()
* 功 能：不破坏段内其他数据，向Flash中写入一个字(int型变量)
* 入口参数：Addr:存放数据的地址，仍然是以字节为单位的偏移地址，需为偶数
Data:待写入的数据
* 出口参数：返回出错信息 0:偏移溢出 ；1:正常工作
* 说 明：MSP430单片机可以对16位数据直接操作，所以为了加快速度
* 函数中均直接对word进行操作。
* 范 例：Flash_Bak_WriteWord(0,123);将常数123写入0单元
Flash_Bak_WriteWord(1,a);将变量a写入1单元
******************************************************************************************************/
char Flash_Bak_WriteWord(unsigned int Addr,unsigned int Data)
{
unsigned int *Ptr_SegAddr; //Segment pointer
Ptr_SegAddr = (unsigned int *)SegAddr; //Initialize Flash pointer
//-----注意：以下操作数全部为word16位数据类型-----
unsigned int BackupArray[32]; //开辟32字(64字节）的临时RAM备份Seg
unsigned int i = 0;
//----- 段范围限定。为了内存管理安全，只允许本段操作-----
if((SegPre<=31&&Addr>=512) ||(SegPre>31&&Addr>64) )
return 0;
for(i=0;i<32;i++) //word型占两个字节
{
BackupArray= *(Ptr_SegAddr+i); //指针移位方法对字赋值
}
Flash_Erase(); //擦除待操作段
FCTL1 = FWKEY + WRT; //正常写入（非块写）
FCTL3 = FWKEY; //解锁
// FCTL3 = FWKEY+LOCKA; //解锁 （含A段）
for (i=0; i<32; i++) //word型占两个字节，需跳过奇数地址
{
_DINT(); //关总中断
if(i==Addr)
{
*(Ptr_SegAddr+Addr) =Data; //写字型数据
while(FCTL3&BUSY); //等待写操作完成
}
else
{
*(Ptr_SegAddr+i)= BackupArray; //恢复Flash内的其他数据，按字恢复
while(FCTL3&BUSY); //等待写操作完成
}
_EINT(); //开总中断
}
FCTL1 = FWKEY; //清除写
FCTL3 = FWKEY + LOCK; //上锁
// FCTL3 = FWKEY + LOCK+LOCKA; //上锁（含LOCKA）
return 1;
}
/******************************************************************************************************
* 名 称：Flash_SegA_ReadChar()
* 功 能：从InfoA中读取一个字节
* 入口参数：Addr:存放数据的偏移地址
* 出口参数：Data：读回的数据;偏移溢出时，返回 0
* 说 明：无
* 范 例：无
******************************************************************************************************/
unsigned char Flash_SegA_ReadChar (unsigned int Addr)
{
unsigned int temp=0;
unsigned char Data=0;
//----- 段范围限定。为了内存管理安全，只允许本段操作-----
if(Addr>=64)
return 0;
unsigned char *Ptr_SegAddr; //Segment pointer
temp = 0x10c0+Addr;
Ptr_SegAddr = (unsigned char *)temp; //Initialize Flash pointer
Data=*Ptr_SegAddr; //直接为InfoA首地址，未使用全局变量SegAddr
return(Data);
}
unsigned char gTemp=0;
unsigned char gA;
void main()
{
WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD; //关狗
DCOCTL = CALDCO_8MHZ; // 先设DCO为8MHz
BCSCTL1 = CALBC1_8MHZ;
BCSCTL2 |= DIVM_1+DIVS_2; // 2分频后到MCLK为4MHz ，4分频后到SMCLK为2MHz
Flash_Init(6,'B' ); //6分频后为333.3kHz, 操作B信息段
gTemp=Flash_ReadChar(0); //读取
Flash_Bak_WriteChar (0,0x23); //写入
gTemp=Flash_ReadChar(0); //再读取
gA=gTemp;
}
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