MSP430X14X Flash 读写操作总结

2019-07-15 16:29发布

Flash简介Flash分为主存储区和信息存储区,主存储区有8512byte的片段,信息存储区有两个128byte的片段。Flash默认为读取模式。在对Flash进行编程或者擦除时不允许读写,如果需要CPU在这期间进行操作,可以把代码段放在RAM中进行。Flash操作注意事项在读写的过程中电压不能小于2.7V否则擦除和读写的结果将不可预测。Flash的可操作时钟频率为~257KHZ---~476KHZ。如果频率不符合要求,则结果不可预测。在擦除先需要关闭中断和看门狗,在擦除的过程中如果产生了中断,则会在重新使能中断后产生一个中断请求。Flash只能从1写为0,不能从从0写为1,所以需要擦除。可以被擦除的最小模块是片段,tAll Erase = tMass Erase = 5297/fFTG, tSeg Erase = 4819/fFTG
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11条回答
dirtwillfly
1楼-- · 2019-07-15 18:31
详细内容见: MSP430_Flash读写操作总结.pdf (385.5 KB, 下载次数: 7) 2017-9-14 20:52 上传 点击文件名下载附件
wangdezhi
2楼-- · 2019-07-15 20:46
wangdezhi
3楼-- · 2019-07-15 22:27
 精彩回答 2  元偷偷看……
shenmu2012
4楼-- · 2019-07-16 00:33
Flash分为主存储区和信息存储区,主存储区有8个512byte的片段,信息存储区有两个128byte的片段。
shenmu2012
5楼-- · 2019-07-16 04:51
这个还需要看具体的flash芯片的,大致是一样的,还是有些小差别的
shenmu2012
6楼-- · 2019-07-16 10:42
dirtwillfly 发表于 2017-9-14 20:52
详细内容见:

这个读写操作的不错,,特别是总线的应用

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