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什么是FRAM?
FRAM（铁电随机存取存储器）是被称为FeRAM。这种存储器采用铁电质膜用作电容器来存储数据。FRAM具有ROM（只读存储器）和RAM（随机存取器）的特点，在高速读写入、高读写耐久性、低功耗和防窜改方面具有优势.
关于铁电质
下面的图表解释了PZT晶体结构，这种结构通常用作典型的铁电质材料。在点阵中具有锆和钛，作为两个稳定点。它们可以根据外部电场在两个点之间移动。一旦位置设定，即使在出现电场，它也将不会再有任何移动。顶部和底部的电极安排了一个电容器。那么，电容器划分了底部电极电压和极化，超越了磁滞回线。数据以“1”或“0”的形式存储。
PZT晶体结构和FRAM工作原理
* 非易失性：即使没有上电，也可以保存所存储的信息。
优势
与传统存储器相比，FRAM具有下列优势：非易失性
FRAME2PROMFlashSRAM存储器类别非易失性非易失性非易失性易失性晶胞结构*11T1C/2T2C2T1T6T数据改写方法覆盖写入擦除+写入扇面擦除+ 写入覆盖写入写入循环时间150ns*25ms10µs55ns耐久力最大 1012（1万亿次循环*3）*2106（100万次循环）105（10万次循环）无限制写入操作电流5mA（典型值）*2
15mA（最大值）*25mA（最大值）20mA（最大值）8mA（典型值）
-待机电流5µA（典型值）*2
50µA（最大值）*22µA（最大值）100µA（最大值）0.7µA（典型值）
3µA（最大值）*1) T=晶体管. C=电容器
*2) 256Kb独立的FRAM存储器的技术规格
*3) 读写操作的总循环
更多的详情可查看：http://www.fujitsu.com/cn/fss/memory/fram/overview/
FRAM（铁电随机存取存储器）是被称为FeRAM。这种存储器采用铁电质膜用作电容器来存储数据。FRAM具有ROM（只读存储器）和RAM（随机存取器）的特点，在高速读写入、高读写耐久性、低功耗和防窜改方面具有优势.
关于铁电质
下面的图表解释了PZT晶体结构，这种结构通常用作典型的铁电质材料。在点阵中具有锆和钛，作为两个稳定点。它们可以根据外部电场在两个点之间移动。一旦位置设定，即使在出现电场，它也将不会再有任何移动。顶部和底部的电极安排了一个电容器。那么，电容器划分了底部电极电压和极化，超越了磁滞回线。数据以“1”或“0”的形式存储。
PZT晶体结构和FRAM工作原理
- 当加置电场时就会产生极化。（锆/钛离子在晶体中向上或向下移动）
- 即使在不加置电场的情况下，也能保持电极。
- 两个稳定的状态以“0”或“1”的形式存储。
优势
与传统存储器相比，FRAM具有下列优势：非易失性
- 即使没有上电，也可以保存所存储的信息。
- 与SRAM相比，无需后备电池（环保产品）
- 像SRAM一样，可覆盖写入
不要求改写命令 - 对于擦/写操作，无等待时间
写入循环时间 =读取循环时间
写入时间： E2PROM的1/30,000
- 确保最大1012次循环（100万亿循环）/位的耐久力
耐久性：超过100万次的 E2PROM
- 不要求采用充电泵电路
功耗：低于1/400的E2PROM
FRAME2PROMFlashSRAM存储器类别非易失性非易失性非易失性易失性晶胞结构*11T1C/2T2C2T1T6T数据改写方法覆盖写入擦除+写入扇面擦除+ 写入覆盖写入写入循环时间150ns*25ms10µs55ns耐久力最大 1012（1万亿次循环*3）*2106（100万次循环）105（10万次循环）无限制写入操作电流5mA（典型值）*2
15mA（最大值）*25mA（最大值）20mA（最大值）8mA（典型值）
-待机电流5µA（典型值）*2
50µA（最大值）*22µA（最大值）100µA（最大值）0.7µA（典型值）
3µA（最大值）*1) T=晶体管. C=电容器
*2) 256Kb独立的FRAM存储器的技术规格
*3) 读写操作的总循环
更多的详情可查看：http://www.fujitsu.com/cn/fss/memory/fram/overview/
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