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我在做一个测温系统，采用RC充放电来进行测温。参考资料如下：
图中： P1.0、P1.1和P1.2是单片机的3个I/O脚; RK为100k的精密电阻; RT为100K-精度为1%的热敏电阻; R1为100Ω的普通电阻; C1为0.1μ的瓷介电容。其工作原理为：
1.先将P1.0、P1.1、P1.2都设为低电平输出，使C1放电至放完。 2.将P1.1、P1.2设置为输入状态，P1.0设为高电平输出，通过RK电阻对C1充电，单片机内部计时器清零并开始计时，检测P1.2口状态，当P1.2口检测为高电平时，即C1上的电压达到单片机高电平输入的门嵌电压时，单片机计时器记录下从开始充电到P1.2口转变为高电平的时间T1。 3.将P1.0、P1.1、P1.2都设为低电平输出，使C1放电至放完。 4.再将P1.0、P1.2设置为输入状态，P1.1设为高电平输出，通过RT电阻对C1充电，单片机内部计时器清零并开始计时，检测P1.2口状态，当P1.2口检测为高电平时，单片机计时器记录下从开始充电到P1.2口转变为高电平的时间T2。 5.从电容的电压公式：
可以得到：T1/RK=T2/RT，即 RT=T2×RK/T1 通过单片机计算得到热敏电阻RT的阻值。并通过查表法可以得到温度值。现在的问题是，我采用89c2051单片机，用proteus进行仿真，仿真不出来。不知道“将P1.0、P1.2设置为输入状态”是什么意思，是让P1.0和P1.2为0吗？但是那样发现
电容上的电压就是R1上的电压了，根本不会继续增加而使P1.2变为高电平。求高手知道。是不是我选的单片机不对。
图中： P1.0、P1.1和P1.2是单片机的3个I/O脚; RK为100k的精密电阻; RT为100K-精度为1%的热敏电阻; R1为100Ω的普通电阻; C1为0.1μ的瓷介电容。其工作原理为：
1.先将P1.0、P1.1、P1.2都设为低电平输出，使C1放电至放完。 2.将P1.1、P1.2设置为输入状态，P1.0设为高电平输出，通过RK电阻对C1充电，单片机内部计时器清零并开始计时，检测P1.2口状态，当P1.2口检测为高电平时，即C1上的电压达到单片机高电平输入的门嵌电压时，单片机计时器记录下从开始充电到P1.2口转变为高电平的时间T1。 3.将P1.0、P1.1、P1.2都设为低电平输出，使C1放电至放完。 4.再将P1.0、P1.2设置为输入状态，P1.1设为高电平输出，通过RT电阻对C1充电，单片机内部计时器清零并开始计时，检测P1.2口状态，当P1.2口检测为高电平时，单片机计时器记录下从开始充电到P1.2口转变为高电平的时间T2。 5.从电容的电压公式：
可以得到：T1/RK=T2/RT，即 RT=T2×RK/T1 通过单片机计算得到热敏电阻RT的阻值。并通过查表法可以得到温度值。现在的问题是，我采用89c2051单片机，用proteus进行仿真，仿真不出来。不知道“将P1.0、P1.2设置为输入状态”是什么意思，是让P1.0和P1.2为0吗？但是那样发现
电容上的电压就是R1上的电压了，根本不会继续增加而使P1.2变为高电平。求高手知道。是不是我选的单片机不对。
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我觉得你这个做输入口得用P0口，P1口内部有上拉电阻会影响你输入的电平值。
写1是把内部的mos管截止，P1口会出现高电平，但是如果这时你外部是低电平，则变为低电平，外部为高，则还为高。
2.将P1.1、P1.2设置为输入状态.这句话是什么意思啊？后面要求能检测电容充电达到门嵌电压，使P1.2检测到高电平。那么这里所说的设置为输入状态就应该是写0啊。
但问题是仿真的时候，电容不能到达高电平。
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