谢谢上面的回答，终于找到原因了，上面的说法都不对
原因是输出电容容量太小了，电容充放电频率过高引起自激（我的猜想），因此Q2上电烧毁，换个1000uf的电容就正常了

三极管的Vbe具有温度越高就越小的负温度特性，所以由这样的电路取出大量的负载电流时（推挽输出往往输出大电流），所以，Q1,Q2的温度就升高，Vbe的值就减小。
然后二极管D1,D2流过的电流基本不变，所以二极管的温升基本不变，所以二极管的正向压降Vf基本不变，从而Vbe≈Vf的关系被破坏（Vf＞Vbe）。
这样一来，在Q1,Q2的基级上就有了Vbe-Vf的差值对应的基级电流。而集电极上则有了hfe倍的基级电流在集电极上流动。这个电流直接从VCC经过Q1,Q2到GND.这个大的电流进一步增加了Q1,Q2的温升，所以进一步破坏Vbe和Vf的关系，这样进一步增加基级电流，从而增加集电极电流。这样反复下去，导致Q1,Q2热击穿。
Q1没烧毁而Q2烧毁的原因可能是Q1的Vbe和二极管的Vf耦合的更好。
解决办法：在Q1,Q2的发射极串两个小阻值电阻，可以防止热击穿，但这不是解决问题的根本办法，因为没有根本解决空载电流随温度变化的问题。（串联的电阻不能太大，否则跟随器的输出阻抗就大了）
根本的解决办法：推挽跟随器的偏置电路里使用同型号的晶体管进行热偶和。