假设开关信号频率不高，三极管允许进入深度饱和状态。

集电极电流估计：
Ic = (5V - 0.5V) / 32 Ω = 140.625 mA

根据数据手册，电流放大倍数至少在 40 以上。
以 hfe = 40 估算，有 Ib = Ic / hfe = 140.625 mA / 40 = 3.515625 mA
即基极电流在 3.515625 mA 以上三极管就能进入饱和状态。
注：一般单片机输出 3.5 mA 以上的电流应该没问题。

根据数据手册，最大 BE 结饱和压降 VBE(SAT) = 1.2V 。
基极电阻为 R1 = (3.3V - 1.2V) / 3.515625 mA = 597 Ω
取 R1 = 560 Ω

如果开关频率、功耗……等有要求，则可能需要提高 R1 的阻值。
比如通过实验确定饱和临界点的 Ib、Ic 的统计分布数据，
设置 Ib 到 99% 置信下限 / (1.5～2.0) ，应该就能获得满意的设计效果。

思路是一样的，在估计参数的时候，差异比较大……

如果保守一点，可以取 R1 小点，但功耗大、开关脉冲边沿不陡。
另外，实际的三极管个体之间、批次之间也会有（比较大的）差异。
要想设计得比较理想，需要上面说的通过实验来确定进入饱和状态的临界 Ib、Ic 的分布。
没有这样的数据，宜采取保守的设计（较小的 R1 值），
以牺牲功耗和开关速度来确保电路功能正确。

【实验方法确定饱和临界点】

原理图：

仿真波形：

读数：

通过改变 R1 的值，并测量 Vce 的值，得到下列数据：

可以看到饱和临界点对应 R1 = 5K 附近。
对饱和区和放大区分别建立关系曲线，得到下列结果：


联合饱和区和放大区的方程，可以求出其交点，
即饱和临界点对应的 R1 值：

对不同批次的多个同型号的三极管，用同样的方法可以得到饱和临界的所对应的 R1 值的一个分布。

假设这个分布的均值为 4K， 99% 置信下限为 3.5K，则电阻的 99% 置信上限值可取：
R1 <= 3.5 - (4.0 - 3.5) = 3K

假设使用的是 10% 精度的电阻，即 10% × 标称值 = 3 × 标准偏差，
则宜取 6 × 标准偏差作为间隔，得到电阻标称值  × (1 + 10% × 2) <= 3K
即 R1 <= 2.5K，取 R1 = 2.2K (10%)

非常感谢这位兄弟的耐心指点！
您的一系列回答对我的帮助非常大，接下来我会好好学习你提到的帖子。
谢谢！