请教如何计算三极管作为开关的电路参数

2019-07-16 08:00发布

对模拟电路不熟悉,请教一下:1,三极管为S8050,目标是用作开关,导通负载,负载是电阻型的,阻值约为32欧姆。
2,控制信号是STM32输出的3.3V PWM。
3,要让三极管饱和,看8050手册上写Vbe(SAT)=0.92~1.2V,但网上搜索了一下,很多帖子是按照Vbe=0.7V来计算的。请问是我的理解偏差了吗?
4,目前暂定R1=1K。要让三极管饱和,同时尽可能减少PWM引脚的功耗,R1应该怎样选择和计算?

谢谢大家!

8.png


推荐课程:张飞硬件电路P1训练营(1-5部)http://t.elecfans.com/topic/33.html?elecfans_trackid=bbs_post张飞硬件电路全集训练营(1-10部)http://t.elecfans.com/topic/36.html?elecfans_trackid=bbs_post

友情提示: 此问题已得到解决,问题已经关闭,关闭后问题禁止继续编辑,回答。
该问题目前已经被作者或者管理员关闭, 无法添加新回复
19条回答
butterflydw
1楼-- · 2019-07-17 02:45
 精彩回答 2  元偷偷看……
jfdgs
2楼-- · 2019-07-17 07:12
这是一个方面……

另一个方面是 R1 越小,饱和越深,退出饱和的时间越长。
最终结果看哪方面的因素起决定作用。
dsgdadsad
3楼-- · 2019-07-17 12:25
既然需要降低驱动功耗,改用 MOSFET 不是更好?
safaafd
4楼-- · 2019-07-17 18:12
你好,我没怎么用过MOS管,所以目前还是用8050, 8550这种常见的三极管来做实验。
请教一下,在这种场合(3.3V-5v,电流500mA-1A左右),用什么型号的MOS管呢?
麻烦P沟和N沟的都推荐一下,最好有直插的,如果是贴片的,最好也是SOT223这类比较大的封装,焊在洞洞板上还比较容易。
谢谢。
jfdgs
5楼-- · 2019-07-17 19:49
作为开关应用场合,考虑 MOS 管的时候一般为低端 (Low Side) 开关,即 N 沟道的 MOS 管。

以安森美 (Onsemi) 产品为例,选择 MOS 管的链接如下:MOSFETs
www.onsemi.cn/PowerSolutions/parametrics/809/products
从这个网页上可以下载 MOS 管的 Excel 表格。

选择条件:
Vgs(th) = 3.3V / 2 = 1.65V 左右;
Id > 500mA;

可以在网页上选,也可以在下载的 Excel 文档里选。
LZ 看看有没有合适的。
jfdgs
6楼-- · 2019-07-17 22:01
 精彩回答 2  元偷偷看……

一周热门 更多>