在无负压关断的全桥拓扑中，对大部分MOS FET来说，G、S并电容是很有必要的。

并的这个GS电容主要是防止米勒效应引起的下管GS位移电流突变吧，防止桥臂直通绝对好。

@c1441424
错！
这个电容会引起脉冲宽度增加，反而会增加直通可能。

这个是典型的抑制米勒电容（G和d之间的电容，一般都会给出此寄生电容大小）
i=C米勒*du/dt 所以当漏极电压正向波动很大时，会通过米勒电容产生充电电流，此电流流过驱动电阻，即产生DELTA V,此电压可导致电压超过+20V，mos管会击穿

这个在工程上是非常重要的，虽然理论上由于GS已经有了一个寄生电容，外加寄生电容会影响开关速度，但是在全桥等拓扑中，由于是上下管，没有这个电容你会发现很可怕的。虽然MOS管器件厂家不建议使用这个电容，有没有在原理图预留这个电容，可以判断是新手还是老手。