放置在降压调节器低端


图2中，检测电阻位于底部MOSFET下方。在这种配置中，它检测谷值模式电流。为了进一步降低功率损耗并节省元件成本，底部FET RDS（ON）可用来检测电流，而不必使用外部电流检测电阻RSENSE。





图2.带低端RSENSE的降压转换器


这种配置通常用于谷值模式控制的电源。它对噪声可能也很敏感，但在这种情况下，它在占空比较大时很敏感。谷值模式控制的降压转换器支持高降压比，但由于其开关导通时间是固定/受控的，故最大占空比有限。

降压调节器与电感串联


图3中，电流检测电阻RSENSE与电感串联，因此可以检测连续电感电流，此电流可用于监测平均电流以及峰值或谷值电流。所以，此配置支持峰值、谷值或平均电流模式控制。





图3.RSENSE与电感串联


这种检测方法可提供最佳的信噪比性能。外部RSENSE通常可提供非常准确的电流检测信号，以实现精确的限流和均流。但是，RSENSE也会引起额外的功率损耗和元件成本。为了减少功率损耗和成本，可以利用电感线圈直流电阻(DCR)检测电流，而不使用外部RSENSE。

放置在升压和反相调节器的高端

对于升压调节器，检测电阻可以与电感串联，以提供高端检测（图4）。



图4.带高端RSENSE的升压转换器

升压转换器具有连续输入电流，因此会产生三角波形并持续监测电流。

放置在升压和反相调节器的低端

检测电阻也可以放在底部MOSFET的低端，如图5所示。此处监测峰值开关电流（也是峰值电感电流），每半个周期产生一个电流波形。MOSFET开关切换导致电流信号具有很强的开关噪声。



图5.带低端RSENSE的升压转换器