吸收器电路可以避免电压偏移，特别是能消除MOSFET中寄生二极管的反向恢复损耗，还具有多种其他优势。转换器（仅副边）功率级示意图如图1所示。




图1. 功率转换器副边（图中所示为有源钳位）

图1展示的是一款隔离式DC-DC转换器的副边。副边由同步整流构成，同步整流表现为连接变压器的H-桥。另外还有输出滤波器电感(LOUT)和输出滤波器电容(COUT)。有源钳位开关是一个P沟道MOSFET，用于转换栅极信号电平的栅极驱动由一个电容和一个二极管构成。

高频等效电路

在高频视图中，大电感和大电容分别处于开路和短路状态，电路分析中只使用寄生和谐振电感及电容。利用这种方法可以简化电路，以便分析交流电流。该方法特别适用于谐振拓扑结构和使用吸收器的场合，因为在缓冲周期中，高频电流会选择阻抗最低的路径。


电路的交流视图如图2所示。输出滤波电感和电容分别处于开路和短路状态。在电路中，MOSFET的输出电容和漏电电感保持原样。重点是转换器的副边，因为原边电压源已短路并且对分析无用。




图2. （左）功率转换器副边AC视图（图中所示为有源钳位）（右）简化的AC视图。

同步FET有源钳位电路的工作原理
在分析中，我们假设，吸收器电容足够大，能维持电压恒定不变。在续流间隙（在图3中，SR1和SR2均开启），四个副边开关(MOSFET)全部开启。受有限上升和下降时间以及栅极驱动信号传播延迟变化的影响，同步整流器信号之间始终存在较短的死区时间。在该死区时间期间，MOSFET的寄生二极管会导通以续流。其后是下一半开关周期，此时，原边MOSFET的另一个引脚启动。这会导致变压器绕组上的极性发生变化，同时关闭同步整流器体二极管。然而，只要反向恢复电荷(Qrr)未耗尽，同步MOSFET的寄生二极管就不会关闭。方向如图2所示。该Qrr被视为作为前沿尖峰从变压器反映到原边的多余电流。这还会增大同步MOSFET漏极上的电压尖峰。反向恢复电荷的大小由下式计算得到：








图3





图4a. trr间隔捕获反向恢复能量期间的工作情况





图4b. 负载中释放的能量


漏电电感和走线电感（极性如图2所示）导致的电压尖峰由有源钳位吸收器吸收。有源吸收器开关可以在寄生二极管开启后在ZVS时打开。然而，当有源钳位吸收器开启时，吸收器电容会吸收反向恢复电流并把捕获的能量重新注入副桥和负载中。由于通过吸收器电容的净电流为零，所以只要转换器工作于稳态下，吸收器就会维持电荷平衡。

设计指南
1. 估算漏电电感
让转换器在无吸收器的条件下工作，测量同步MOSFET漏极上振铃电压尖峰的谐振频率和周期(f1)。另外，测量原边电流波形上的前沿尖峰（应等于trr）。要估算漏电电感，要使电容的已知值(C2)至少比MOSFET漏极/源极电容大一个数量级。用下式测量振铃频率(f2)，计算电容(COSS)和漏电(LLK)电感：


2. 选择有源钳位吸收器电容
选择一个输出电容至少为同步MOSFET输出电容10至100倍的吸收器电容。这是因为有源吸收器开关会有一条低阻抗路径。然而，吸收器电容的选择必须做到：
其中，Ts为开关周期。

在下列最小延迟条件下打开有源钳位吸收器：


这两项为驱动器的传播延迟和原边MOSFET的驱动信号上升时间。这个时序非常重要，因为必须捕获MOSFET体二极管的全部反向恢复能量。该时间取决于同步MOSFET体二极管的反向恢复特性（Qrr、trr、Irr），可能随器件上的温度、负载电流和反向电压等因素而变化。延迟时间和吸收器导通时间可以用本文所述方法精确设置以针对不同的开关特性进行优化。

确定钳位电容值的另一种方法是使用以下公式。该公式基于谐振周期，在此期间，将漏电电能释放到钳位电容中。

该值的范围为：


为了避免在第1点上观察到过多的振铃，导通时间应不超过一个或两个谐振周期，否则，会出现过多的连续振铃。或者，吸收器的导通时间可以取上面第1点中观察到的前沿尖峰的导通时间的近似值（如trr）。过多的导通时间只是会导致能量再谐振几个周期，可以在原边电流波形中看到这一点（图8和图9）。

3. 选择吸收器开关
(1)的一个简化版本是使用MOSFET数据手册中的最差条件限值。以下公式更加详细地展现了电容中电流的情况：

使用因子2是因为考虑的只是半个开关周期，对于全桥或半桥拓扑结构，该过程发生两次。另外，在图1中，由于两个开关关闭，所以反向恢复电荷会增加一倍。因此，总电流为：

其中，在全桥配置下，C为2；在中心抽头配置下，C为1；N为并联的MOSFET数目。这是通过有源吸收器开关的平均电流。

半桥拓扑结构的实验结果

对半桥拓扑结构进行了额外的实验验证，额定输入为48 V，额定输出为9 V、200 W，开关频率为180 kHz。




图14. 有源钳位吸收器禁用

红线：SR1漏极，5 V/div
蓝线：SR2漏极；5 V/div
绿线：吸收器PWM，5 V/div




图15. 有源钳位吸收器使能

红线：SR1漏极，5 V/div
蓝线：SR2漏极；5 V/div
绿线：吸收器PWM，5 V/div







图16. 有源钳位吸收器条件下软启动期间的SR漏极波形

黄线：吸收器FET栅极-源极电压，5 V/div
红线：SR1漏极，10 V/div
蓝线：SR2漏极，10 V/div
绿线：输出电压，2 V/div





图17. 有源钳位吸收器条件下软启动期间的SR漏极波形

黄线：吸收器FET栅极-源极电压，5 V/div
红线：SR1漏极，10 V/div
蓝线：SR2漏极，10 V/div
绿线：输出电压，2 V/div





图18. 短路测试过程中的SR漏极电压

黄线：负载电流，5 A/div
红线：SR1漏极，10 V/div
蓝线：SR2漏极，10 V/div
绿线：输出电压，2 V/div




布局考虑
图8所示为上述半桥拓扑结构的布局。关键点是通过缩短环路或将其限制在较窄区域，减小钳位环路的寄生电感。否则会降低钳位的有效性，并在钳位周期内导致高频振铃。




图19. 有源钳位吸收器布局