全桥变换电路MOSFET存在反峰电压过高的问题

2019-07-16 08:41发布

如图是通用的全桥整流拓扑结构,输入48V,输出24V50A。
1.png
但是我测试中发现,带载后MOS管反峰电压过高,200V的MOS管,反峰高达240V
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6条回答
jsqueh
1楼-- · 2019-07-16 11:00
 精彩回答 2  元偷偷看……
胡政鹏邮箱
2楼-- · 2019-07-16 12:34
可以参考一下这段话
1.png
jsqueh
3楼-- · 2019-07-16 16:55
@胡政鹏邮箱 5、因某种原因也许 C1 不能太靠近两个开关,那就再用一个小容量的 CBB 电容就近达成这个电容,形成最小回路连接。
整个机器的结构不是在电路板上,而是分立的结构,请教这个小的CBB电容需要多大的容量和额定电流,这个要怎么估算呢?而且我也有在MOS管上并接一个CBB电容,效果似乎一般。
小马哥996
4楼-- · 2019-07-16 17:44
@jsqueh 一定要靠近MOS管位置的母线上并联这个电容。
胡政鹏邮箱
5楼-- · 2019-07-16 22:48
@jsqueh 这个方法有说明,是三个元件的最小回路连接(无论是铜排或者PCB),电容只是其中一个元件。因此,电流的大小也与其他两个元件相当,一般CBB电容都能满足,无需纠结。
nvhyfwe
6楼-- · 2019-07-17 04:12
 精彩回答 2  元偷偷看……

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