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图中的电路是实现Sys_3V3控制4V（电池）的输出，我按照以往的经验设计，将R98,R99定为10KR，但是调试（MMBT3904调试时换成IRLML2502的NMOS管）发现Q13/Q14导通后，消耗的电流太大了，40+uA，只计算图1的电路，Cell_out的后续电路没有计算我就将R98,R99的电阻改为560KR，发现电路也正常，此时大概7uA。我想知道，我把R98,R99改这么大会有什么后续问题么？再改大呢？
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Q13、Q14，总是只有一个管子是导通的。所以，不论采用NPN三极管还是NMOS，消耗电流大致相等。
R88、R99 为10k时，电流大约400uA，不是40uA。
R88、R99 为560k时，电流大约7uA。
二、
请注意，图中电阻值的【K】，是错误的。应当写作【k】。
三、
R88、R99 电阻值的选取，必须根据要求行事，不是想怎么样就怎么样，没有了规矩。
除了你已经注意到的同耗电有关外，例如，还同速度有关。
要求速度快的，取较小电阻值；
没有速度要求的，则可取较大电阻值；
更有甚者，为了缓启动，还要加上电容。
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