R7上并个0.1UF的104电容试试。做成缓起电路。不然上电太快，冲击电流太大。

这个现象应该是由于PMOS后端的电容引起的，PMOS导通的一瞬间，电容的充电电流很大

建议楼主在R7两端并联电容试试看

1.如果R9取值100k.R7取值200k,也是可以起到缓起的作用，我是这样理解的，初始状态，由于结电容Cgs两端都是3.3V.，所以PMOS管不会导通，当IO口给高电平，三极管导通，3.3V给Cgs充电，因为电容两端电压要升高，所以Cgs下端电压会下降，当下降到Cgs两端电压达到开启电压时，PMOS管才导通，而R9正好是Cgs的放电回路阻抗，所以R9取值合适，那么PMOS开启将会延迟一些。2.IO口出来一般都要接个限流电阻到B级，最好可以加下拉电阻，保持初始状态三极管不会误导通。