为什么光耦驱动MOSFET经常被烧坏？

2019-07-16 08:58发布

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17条回答

1楼-- · 2019-07-16 14:18

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2楼-- · 2019-07-16 16:52

要驱动端的上升下降时间短，你用示波器看看，驱动电流要够一般15mA，输入电流小了，内部2个MOSFET不能完全导通和完全截止就会烧。输入电流上升沿，下降沿要陡。

3楼-- · 2019-07-16 19:25

中间两个MOSFET好像是多余的，FOD3182的输出能力很强啊，3A难道还不够吗？

4楼-- · 2019-07-17 00:55

中间两个管子是反向器，控制PMOS,默认让它为关断状态，Ra9是200欧的，计算输入电流11mA左右，控制信号为方波，不存在同时导通的可能。

5楼-- · 2019-07-17 04:11

加一级双mosfet非门，原来是为了反相
你的11mA是怎么计算出来的，我算才3.5mA
很简单，你测量一下200欧姆上的电压，就可以知道电流多大了
你把电阻改到51欧姆试试，最大电流可以25mA的

6楼-- · 2019-07-17 04:48

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