可否如图所示。
ISO输入低，输入光耦截止；单片机收到高电平信号，单片机内部可以翻转电平，或者加个反相器；输出光耦导通，输出也是低电平，但是输出光耦输出端有R96的4.7k电阻，当输入想变高的时候，也可以变高，电阻R96相当于上拉电阻，不影响输入电平的。

楼主有兴趣的话，可以试试下面这个电路：1.附图电路是基于MCU侧采用2个IO的，如果MCU引脚够用，从程序角度来说2个IO或1个IO是一样的，修改很简单；
2.图中R8可以根据需要选用，可以不用；
3.图中D2推荐使用肖特基二极管，但1N4148也可；
4.图中参数计算时，是假设光耦的CTR为50%；
5.电路尚未考虑总线电缆类型及长度，也没有保护措施（一般来说，既然连这样的单总线都需要隔离，那么保护应该是必须的）；
6.如果必须在隔离的两侧都使用单总线，那么，可以参考隔离左侧的电路结构改造右侧电路，应该是一样一样的；

最重要的：
如果楼主采用了本帖电路或参考了本帖的思路，请务必将你的结果及一些必要的测试数据在此公开。

对此不太了解  学习