@weilai123 但是如果当PFC的场效应管在关断瞬间呢？这个时候会产生一定的前沿尖峰哦，如果不加TVS，是不是存在这个电压尖峰打穿MOSFET的风险？

关断时是有一个尖峰，一般是通过优化PCB LAYOUT, 加RC吸收电路，调整开关速度，或改善环路响应速度来控制尖峰，保证最坏的尖峰低于MOSFET的额定电压就好了。话说回来，如果是100ns内的尖峰电压，即使超过MOSFET的额定电压，只要其能量也远低于MOSFET的雪崩能量，也是安全的。至于超过100ns的尖峰电压，不太可能出现在PFC MOSFET上，这是因为后面的大电容已经能够响应到，并钳位住这个电压幅度。所以说，TVS用在这里，值得商榷。