反激变换器MOS管的耐压性能的问题

2019-07-16 09:03发布

关于怎样确定MOS管是否会击穿的问题。
在网上有看到大概两种说法:
1.计算雪崩能量然后进行判断MOS管是否会损坏;
2.计算MOS管结温然后查出对应的击穿电压。
第一种不知道是要测所有的能量还是只是大于MOS管电压应力部分的能量;
第二种说下自己的理解,路过的大佬帮忙看看是否正确;
先根据下图和自己电路的参数求取结温
1.png
再根据结温与击穿电压点的关系求取Vds击穿电压
2.png
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7条回答
广州洋钒
1楼-- · 2019-07-16 11:35
任何时候不要超即可,不要妄图去利用雪崩。
星星公交站
2楼-- · 2019-07-16 14:14
@广州洋钒 既然规格书给到参数,合理利用也是可以的吧
广州洋钒
3楼-- · 2019-07-16 19:54
 精彩回答 2  元偷偷看……
星星公交站
4楼-- · 2019-07-16 22:13
怎么说呢...我这边的目的也是用于风险评估的吧...评估MOS管是否会在短暂的异常工作时损坏...目前也就会在短路状态全带宽下超过MOS管的电压应力
广州洋钒
5楼-- · 2019-07-16 22:51
只能利用一次的意思:一旦触发雪崩机制,下一次该参数降低,再下一次更低。雪崩就是这意思,它是一种累计破坏机制,祸不单行的意思。
小句句63
6楼-- · 2019-07-17 02:29
测试平台也会有差异,建议100M也不要超

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