电路设计

请问开关的电压变化率(dv/dt)和电磁干扰有没有关系？

2019-07-16 09:10发布

站内问答 / 电路设计
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问下大家，一般开关的开关速度（dv/dt），与电磁干扰（EMI）有没有计算关系？还是说一般取经验值，为什么一般上升速度会做的下降速度慢？
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9条回答
五斤麻辣油
1楼-- · 2019-07-16 14:17
开关速度主要是影响开关损耗。实现软开关对EMI有改善。至于你说的关段会慢，你是用的IGBT？
zhongnian
2楼-- · 2019-07-16 17:55
应该是一样的，除非是开漏输出模式，会有下降快，上升慢，比如i2c通讯
lalajie
3楼-- · 2019-07-16 23:05
@zhongnian 开快了还是会烧功率管的
zhongnian
4楼-- · 2019-07-17 00:23
 精彩回答 2  元偷偷看……
bobnice
5楼-- · 2019-07-17 02:19
nldmos的寄生NPN开启了,因为过高的di/dt在bonding寄生电感上产生了过高的过冲电压.nldmos里面drain端和bulk端有一个NP结,也是计生npn的CB端,除非说你的nldmos很耐用,这个结的BV很高,那没事.Driver容易烧是因为floating pmos或者nmos的vds,受nldmos寄生电容Cdg影响,当过高的dv/dt在drain端产生时,这个over shoot被电容cover到了Driver输出端.一般在这个地方nmos更容易挂,通常串个几百欧姆电阻.PMOS就看面积是否足够大.电阻串多了,驱动能力弱,功耗高.这也是一个折中考虑.
河神大人
6楼-- · 2019-07-17 03:50
@bobnice driver直接可以理解为c*dv/dt=I产生的大电流烧坏的吧?
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