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电路设计
NPN控制mos管的问题
2019-07-16 09:13
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电路设计
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8条回答
siyugege
1楼-- · 2019-07-16 09:17
如图所以,问题也描述在图上
1.去掉负载,问题依旧存在
2.更换PMOS,问题依旧
3.更换NPN,问题依旧
4.示波器捕获IO口和LDO的输出,纹波没问题
5.将R7改为200K,R9改为0R,问题依旧
6.将R7和R9都改为200K,电路工作正常
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siyugege
2楼-- · 2019-07-16 11:49
精彩回答 2 元偷偷看……
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星星公交站
3楼-- · 2019-07-16 14:16
这个图画错了, PMOS右边G和D之间少了个电容,没有inrush control的作用
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sjjs001
4楼-- · 2019-07-16 17:53
R7上并个0.1UF的104电容试试。做成缓起电路。不然上电太快,冲击电流太大。
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广州洋钒
5楼-- · 2019-07-16 22:16
这个现象应该是由于PMOS后端的电容引起的,PMOS导通的一瞬间,电容的充电电流很大
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siyugege
6楼-- · 2019-07-17 02:44
谢谢大家,按大家的意见和思路已经解决了
1.通过现象分析后,既然通过电阻分压就解决,那么很可能是由于PMOS的开关导致的
2.如帖描述,通过分压减少的了Drain端的驱动能力,那么很可能是开关的瞬间导致的
3.通过在R7和R9之间的点,并联电容到地。
那么在初始态,电容通过S端过R7充满电,当IO口拉到后,NPN管导通,PMOS管的G极由于R9和C的存在,Vgs有一个缓慢由0V到-3.3的过程,其中到达Vt后,管子导通,并且逐渐使Id到最大。降低了开关瞬间对电源的冲击。
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2.更换PMOS,问题依旧
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5.将R7改为200K,R9改为0R,问题依旧
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1.通过现象分析后,既然通过电阻分压就解决,那么很可能是由于PMOS的开关导致的
2.如帖描述,通过分压减少的了Drain端的驱动能力,那么很可能是开关的瞬间导致的
3.通过在R7和R9之间的点,并联电容到地。
那么在初始态,电容通过S端过R7充满电,当IO口拉到后,NPN管导通,PMOS管的G极由于R9和C的存在,Vgs有一个缓慢由0V到-3.3的过程,其中到达Vt后,管子导通,并且逐渐使Id到最大。降低了开关瞬间对电源的冲击。
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