网上的解释是这样的
当内建的低电压复位电路的电压与应用规格不同时，可选用外部三极管低电压复位电路
可提供低电压复位功能，并适用于强干扰环境。
低电压复位功能由R1 与R2 分压，或由稳压二极管电压决定。
当使用R1 与R2 分压时，其低电压复位点约为(R1+R2)/(2×R1)，R3 电阻值需大于R2/30。
当使用稳压二极管时，其低电压复位点约为VZ+0.5V，R1 用于设定工作点VZ，R3 电阻值最好大于100kΩ。
三极管Q1 在PCB 板上的位置很重要，一般要求Q1 的集电极(C)和发射极(E)与MCU 的RES 和VDD 引脚的布线最短。

麻烦大家帮忙讲解下

可以这样，假定所有电阻阻值都为10k，
VDD在100ms内线性由0V升至5V，请根据上图画出#RES的波形。
看到#RES的波形应该能理解原理了

@LEON1985 谢谢赐教！

@jjll652 这个我知道，我也只是看到想了解一下原理