MOS管阈值电压的问题

2019-07-16 09:30发布

为什么PMOS的阈值电压要高于NMOS呢?

下面是我用HSPICE仿真的代码
.opt scale=0.1u * Set lambda
mp drainp gatep Vdd Vdd pch l=2 w=20 ad=100 pd=20 as=100 ps=20
mn drainn gaten Gnd Gnd nch l=2 w=8 ad=40 pd=8 as=40 ps=8
仿真结果显示P管的阈值电压要高于N管,请问是为什么?

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5条回答
emsthe
1楼-- · 2019-07-16 14:48
 精彩回答 2  元偷偷看……
天地直方
2楼-- · 2019-07-16 19:20
看工艺
juanll5
3楼-- · 2019-07-16 20:33
阈值电压和以下几个因素有关:栅电极材料类型,栅氧化层厚度,衬底掺杂浓度,栅氧化层层中的电荷密度等相关,一般工艺中N/P MOS的栅氧化层厚度tox都是相同的,栅电极材料类型也相同,栅氧化层层中的电荷密度也相同,但是衬底浓度却不一样,NMOS直接做在Psub外延P-epi上面,而PMOS 做在P-epi的NWELL上面,所以NWELL的杂质浓度比P-epi跟大一些,衬底浓度越大,对应MOS管的阈值电压也越大,所以一般PMOS的阈值电压都要比NMOS要更大一些。
jghgfdssas
4楼-- · 2019-07-16 23:12
我理解的是阈值电压与宽长比有关,宽长比越大阈值电压越大,不知道对不对
Shype
5楼-- · 2019-07-17 03:04
@jghgfdssas 宽长比越大,RON越小,和阈值电压无必然联系

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