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N沟道-增强型MOS管的问题
2019-07-16 09:42
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电路设计
4879
6
1098
如图,VTH=3V,K=1mA/V2,求VGS、ID和VD。其中
又因为IG=0,VGS=VDS=V0
请问这样求出来的等式是不是对的?
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6条回答
梅利号
1楼-- · 2019-07-16 13:21
精彩回答 2 元偷偷看……
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百灵千岛酱
2楼-- · 2019-07-16 17:13
15 - Rd x Id - Vds = 0
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李春明
3楼-- · 2019-07-16 17:33
G极电压有R1 R2分压得到
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wufa1986
4楼-- · 2019-07-16 23:14
精彩回答 2 元偷偷看……
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石相康
5楼-- · 2019-07-16 23:20
zhengque正确的vvvvvvvvvvvvvvvvvvvvvvvvvvvvvvvvvvvvvvvvvvvvvvvvvv
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zxw12315
6楼-- · 2019-07-17 04:52
本帖最后由 zxw12315 于 2019-1-10 22:06 编辑
留下印记,这个NMOS管是用来控制对地泄放的,当电压超过某个值对地导通,对NMOS管的要求并不高。其他分析不发出来,感觉自己分析的不对。
这张是我放上的仿真图片,根据电路参数进行泄放电流的NMOS管,对NMOS管的要求可能会有差异,但是主体控制还是驱动电阻的调整。
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留下印记,这个NMOS管是用来控制对地泄放的,当电压超过某个值对地导通,对NMOS管的要求并不高。其他分析不发出来,感觉自己分析的不对。
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