电路设计

N沟道-增强型MOS管的问题

2019-07-16 09:42发布

站内问答 / 电路设计
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1.png
如图，VTH=3V，K=1mA/V2，求VGS、ID和VD。其中
2.png
又因为IG=0，VGS=VDS=V0
3.png
请问这样求出来的等式是不是对的？
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6条回答
梅利号
1楼-- · 2019-07-16 13:21
 精彩回答 2  元偷偷看……
百灵千岛酱
2楼-- · 2019-07-16 17:13
15 - Rd x Id - Vds = 0
李春明
3楼-- · 2019-07-16 17:33
G极电压有R1   R2分压得到  
wufa1986
4楼-- · 2019-07-16 23:14
 精彩回答 2  元偷偷看……
石相康
5楼-- · 2019-07-16 23:20
zhengque正确的vvvvvvvvvvvvvvvvvvvvvvvvvvvvvvvvvvvvvvvvvvvvvvvvvv
zxw12315
6楼-- · 2019-07-17 04:52
本帖最后由 zxw12315 于 2019-1-10 22:06 编辑

留下印记，这个NMOS管是用来控制对地泄放的，当电压超过某个值对地导通，对NMOS管的要求并不高。其他分析不发出来，感觉自己分析的不对。
仿真1.png
这张是我放上的仿真图片，根据电路参数进行泄放电流的NMOS管，对NMOS管的要求可能会有差异，但是主体控制还是驱动电阻的调整。

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