24V供电?电路设计可能没有注意到细节，一般的MOS管，应用时其G极最大电压不应该超过15V，否则容易击穿，所以对于可能高于15V的电路一般要用保护。
Q1最大电流为2.4mA,即是在摸拟应用时的最大功耗<15mW,所以烧坏的原因就该是后级的影响。
一般的LED的正向电压3V左右，一般要加限流。再者，象这样高的电压的应用方法本人没有见过，特别是大功率应用，必须考虑效率。
不管是摸拟控制还是PWM，这个电路还是改一改吧。

我可以帮你解决
(1)当没有PWM波时，三极管刚开始肯定处于关闭状态，导致MOS管一直处于打开的状态，所以MOS管比较烫，这是烫的原因。
(2)但是当加PWM时，由于频率过高，导致三极管跟不上变化，可能一直处于打开的状态，这时MOS管关闭，所以灯不亮。这是不亮的原因。
所以对策是;
(1)使得没有PWM波时，MOS管处于关闭状态，这样就不发烫了。你可以加一个NPN和PNP组合的三极管，是正逻辑，输入为高时输出才为高，我告诉你一种三极管簇(BCR08PN等系列），记住要加个下拉电阻在b-e之间，使得电荷可以快速泻放掉。
（2）只要三极管能够比较快速的导通和关闭的话，灯肯定会亮的，所以你应该选择上面类似的快速开关三极管，采用正逻辑的话应该没有问题。还要记住，在MOS管的栅极也要下拉个电阻才行。

MOS管DS之间电压是多大？
LED正向电压是3V左右，然后所有的电压将加在MOS管DS之间电压之间。一般DS两端电压高于了3V，MOS管就会发烫。电压越大，发热越是厉害。功耗非常大。

另外，对于LED不亮问题。可能是MOS关G极的驱动不够，MOS管没有导通。

本帖最后由 JQ_Lin 于 2018-9-18 16:45 编辑

貌似三极管没有烧掉的理由，导通时电流很小，才2.4mA，只要耐压足够，应该没有问题。

问题在于：
1. NMOS管栅极电压，你没有作任何处理，24V太高！
2. LED负载回路，缺少限流电阻，24V的电源电压由一个LED和一个NMOS顶着！

如果NMOS更坚强，那就烧掉LED，NMOS也遭残废。
如果LED够强大，那就烧掉NMOS，LED也身受重伤。
若NMOS栅漏被击穿，则迫使那个本来没有危险的三极管同LED关联起来，必烧无疑。

解决办法：
1. 三极管基极接10k电阻至地，使其截止可靠。
2. 三极管集电极电阻R3大幅降低阻值，例如 1.3k。
3. NMOS栅极接电阻至地（源极），例如 1k。
这样，一可以提高快速响应的能力，二使NMOS栅极电压控制在10V左右。
4. LED负载回路要串接限流电阻，阻值 = (24V - LED管压降) / 你想要的电流。


一个发光管，用24V电源，太不匹配了。
如果非得用24V，你可以用多个小功率的LED串联，也得加限流电阻。

IRF640的GS之间的电压最大为±20，你这明显超了。另外，漏极电流大概估算一下，也明显超了(Id=18A).

三极管烧的原因是MOS管的栅极放电电流流过三极管，致使其烧毁？