{var%20f='http://v.t.sina.com.cn/share/share.php?appkey=1515056452',u=z||d.location,p=['&url=',e(u),'&title=',e(t||d.title),'&source=',e(r),'&sourceUrl=',e(l),'&content=',c||'gb2312','&pic=',e(p||'')].join('');function%20a(){if(!window.open([f,p].join(''),'mb',['toolbar=0,status=0,resizable=1,width=440,height=430,left=',(s.width-440)/2,',top=',(s.height-430)/2].join('')))u.href=[f,p].join('');};if(/Firefox/.test(navigator.userAgent))setTimeout(a,0);else%20a();})(screen,document,encodeURIComponent,'','','https://www.xiaopingtou.cn/data/attach/logo/logo.png', '推荐 liuyongwangzi 的问题《使用Arduino驱动P沟道MOSFET，无法获得所需的性能（低引脚，MOSFET导通）》','https://www.xiaopingtou.net/q-55935.html','页面编码gb2312|utf-8默认gb2312'));){kind=link}
在通孔板上建立电路数小时后，我发现使用P-MOSFET时Vgs并不容易。经过搜索，我发现我需要使用N-MOSFET或BJT（NPN）将源极电压带到栅极，以便关断MOSFET。
对我来说非常重要的是，当Arduino引脚为低电平时，MOSFET保持导通状态。如果后面的系统没有剩余电源（这里与电路无关），这是为Arduino本身提供电流。
由于这个限制，这样的电路：
当arduino输入为低电平时，将关闭MOSFET。（根据我的理解）我试图使用HIGH侧的N-MOSFET向栅极提供电压，请参见此屏幕截图（不使用正确的电路软件道歉）：
尽管N-MOSFET显示为饱和，但只有3.32V接通其源极，不足以完全触发P-MOSFET的栅极。
我对电子学的简短了解已被打败，因为我无法绕过这个。鉴于栅极电压很高，N-MOSFET将在其源极上施加全漏极电压对我来说是合理的。
对我来说非常重要的是，当Arduino引脚为低电平时，MOSFET保持导通状态。如果后面的系统没有剩余电源（这里与电路无关），这是为Arduino本身提供电流。
由于这个限制，这样的电路：
当arduino输入为低电平时，将关闭MOSFET。（根据我的理解）我试图使用HIGH侧的N-MOSFET向栅极提供电压，请参见此屏幕截图（不使用正确的电路软件道歉）：
尽管N-MOSFET显示为饱和，但只有3.32V接通其源极，不足以完全触发P-MOSFET的栅极。
我对电子学的简短了解已被打败，因为我无法绕过这个。鉴于栅极电压很高，N-MOSFET将在其源极上施加全漏极电压对我来说是合理的。
友情提示: 此问题已得到解决，问题已经关闭,关闭后问题禁止继续编辑，回答。
Q1将电平转换为+12，Q2将信号反相，因此MOSFET输入为低电平时MOSFET导通。
Arduino GPIO低电平（0V）：PMOS开关导通（负载电压= 12 V）Ardunio GPIO高电平（5V）：PMOS开关关闭（负载电压= 0）这个电路可以工作：
一周热门 更多>