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分立的MOS管如何实现让Ids相对Vgs线性增加?
2019-07-16 11:01
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电路设计
10342
5
1402
输入端峰峰值最大10V正弦波信号。想通过分立的MOS管,实现让Ids相对Vgs线性增加的。Ids可在2mA~20mA变化.通过观察N
MOS的
Id-Vgs关系图,不可能实现线性变化的.请问有没有什么管子可以实现线性变化?谢谢!
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5条回答
aylboy0001
1楼-- · 2019-07-16 13:43
所有管子都有一段线性区的啊,只是区域比较窄,就在Vds<Vgs-Vth这一块区域
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xingbinqu007
2楼-- · 2019-07-16 15:04
aylboy0001 发表于 2018-4-27 09:34
所有管子都有一段线性区的啊,只是区域比较窄,就在Vds
这段区域前提Vgs为恒定值,因Vds叠加了正玄波,不是恒定值,所以也就不会是线性变化。可以这么理解吧
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aylboy0001
3楼-- · 2019-07-16 16:50
这个的话你应该是输入在G端的吧?应该是VGS是个变化值的吧?如果VGS是变化值的话,你就参考MOS管的VDS-ID图对照看下,其实VGS变化的时候,其对应的线性区域的变化范围并不是很大的,如果能合理调配好匹配电路的话,应该是可以让其工作在线性区域的吧
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xingbinqu007
4楼-- · 2019-07-16 17:59
精彩回答 2 元偷偷看……
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xiaxingxing
5楼-- · 2019-07-16 19:26
电阻不就可以吗?I=U/R=Asin(wt+t0)/R;
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