分立的MOS管如何实现让Ids相对Vgs线性增加?

2019-07-16 11:01发布

输入端峰峰值最大10V正弦波信号。想通过分立的MOS管,实现让Ids相对Vgs线性增加的。Ids可在2mA~20mA变化.通过观察NMOS的 Id-Vgs关系图,不可能实现线性变化的.请问有没有什么管子可以实现线性变化?谢谢!
友情提示: 此问题已得到解决,问题已经关闭,关闭后问题禁止继续编辑,回答。
该问题目前已经被作者或者管理员关闭, 无法添加新回复
5条回答
aylboy0001
1楼-- · 2019-07-16 13:43
所有管子都有一段线性区的啊,只是区域比较窄,就在Vds<Vgs-Vth这一块区域
xingbinqu007
2楼-- · 2019-07-16 15:04
aylboy0001 发表于 2018-4-27 09:34
所有管子都有一段线性区的啊,只是区域比较窄,就在Vds

这段区域前提Vgs为恒定值,因Vds叠加了正玄波,不是恒定值,所以也就不会是线性变化。可以这么理解吧
aylboy0001
3楼-- · 2019-07-16 16:50
这个的话你应该是输入在G端的吧?应该是VGS是个变化值的吧?如果VGS是变化值的话,你就参考MOS管的VDS-ID图对照看下,其实VGS变化的时候,其对应的线性区域的变化范围并不是很大的,如果能合理调配好匹配电路的话,应该是可以让其工作在线性区域的吧
d6ca7bcb0a46f21feff899faf7246b600d33ae4f.jpg
xingbinqu007
4楼-- · 2019-07-16 17:59
 精彩回答 2  元偷偷看……
xiaxingxing
5楼-- · 2019-07-16 19:26
电阻不就可以吗?I=U/R=Asin(wt+t0)/R;

一周热门 更多>