如图所示是一个MOSFET的驱动电路
1. 左侧两个500的电阻可以合并成一个1k的吧，比如放个1k的在2管脚。
2. 当2管脚接到高电平，6和7管脚输出的电压应该是15V吧，此时最右侧PWM1端口的电压是15V吧。那这时候的GNDA电压会因为稳压二极管Zd1的原因，而到3.3V么？此时右侧，也就是MOSFET的Vgs电压就是15-3.3V么？
3. 当2管脚接到低电平，6和7管脚输出电压是0，PWM1的电压是0，此时GNDA的电压会是3.3V么？那此时Vgs的电压是-3.3V么？
4. 图中Rd3电阻和Rd5电阻和Cd3电容的作用分别是什么？阻值大概是如何确定的？
以上问题可能有点乱，但希望各位前辈不吝赐教，我会好好学习一下的，谢谢！
1. 左侧两个500的电阻可以合并成一个1k的吧，比如放个1k的在2管脚。
2. 当2管脚接到高电平，6和7管脚输出的电压应该是15V吧，此时最右侧PWM1端口的电压是15V吧。那这时候的GNDA电压会因为稳压二极管Zd1的原因，而到3.3V么？此时右侧，也就是MOSFET的Vgs电压就是15-3.3V么？
3. 当2管脚接到低电平，6和7管脚输出电压是0，PWM1的电压是0，此时GNDA的电压会是3.3V么？那此时Vgs的电压是-3.3V么？
4. 图中Rd3电阻和Rd5电阻和Cd3电容的作用分别是什么？阻值大概是如何确定的？
以上问题可能有点乱，但希望各位前辈不吝赐教，我会好好学习一下的，谢谢！
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2、大致看了下SI8261的推挽结构，确实是IF ON时，输出高电平，按照这个电路PWM高电平是15V没错的，然后ZD1嵌位3.3V没问题，如果是PWM1接MOS管G级，VGD1接MOS管S级，那VGS也没错
3、GNDA的电压值是基本不变的，所以3.3V没问题，VGS是-3.3V也没错，你这个应该是控制耗尽型NMOS管的吧，这个管是要VGS负压才能彻底关断
4、电阻值的选择无出限流，根据实际情况兼顾低功耗计算电阻值即可，电容的话这里就是滤除稳压管的噪声，值的选取的话需要参考下稳压管的噪声范围
最佳答案
十分感谢！！学习了
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