PMOS的饱和压降更低。。。

aylboy0001 发表于 2018-4-18 08:59
首先你要理解下为什么要用双MOS，一般都是因为直接单片机IC的电平值问题，比如这个假设你电池电压12V，那你单片机不论输出高电平还是低电平，Pmos都是导通的

大神你好，我现在单用NMOS(第二幅图)，电池电压绝对不超过6V，G端口控制0V截至不导通，G端口输出3.3V导通，这样的环境下，这样是否也可行呢？

aylboy0001 发表于 2018-4-18 08:59
首先你要理解下为什么要用双MOS，一般都是因为直接单片机IC的电平值问题，比如这个假设你电池电压12V，那你单片机不论输出高电平还是低电平，Pmos都是导通的

大神你好，我现在单用NMOS(第二幅图)，电池电压绝对不超过6V，G端口控制0V截至不导通，G端口输出3.3V导通，这样的环境下，这样是否也可行呢？

本帖最后由 aylboy0001 于 2018-5-17 13:50 编辑

工程师包子 发表于 2018-5-17 10:47
大神你好，我现在单用NMOS(第二幅图)，电池电压绝对不超过6V，G端口控制0V截至不导通，G端口输出3.3V导通，这样的环境下，这样是否也可行呢？

我觉得不行，分析如下：MOS管要导通是有条件的，即VGS>VTh，按照阀值电压VTH是1.2V估算吧，则VS的电压值在高电平时候不能超过2.1V，这样才满足导通条件，即需要MOS管提供一个差不多2倍（R7|+R9）的电阻才能满足，这个是MOS管工作在线性区，电压的波动都会导致你阻值的大范围变化，假设你电平很稳定，你导通了，好吧这时候你的VS电压假设就2.1V吧，那你的BV电压只有不到1V，满足不了你测试电压值的需求的