whl888 发表于 2018-2-24 11:12
最简单的办法是用个加速电容

加速电容？？放在哪里？怎么解释啊？求教大神、

信号上升慢，实际是光耦的关闭慢了，而关闭慢是因为CTR设置不合理，输入电流的变化是9mA到7.2mA，输出为1mA，CTR连50%都不到。减小R52，可以稍微提高一点响应时间，但也不会理想，意义不大。
你可以增大oW_DTS的输入电平，或减小24VD电压，同时调整R51

或者换个高速光耦

前提还是要把光耦的原理，使用方法规则搞清楚

以您目前的设计
IF=(24V-1.2V)/2.5kohm=9.12mA
IC=(5V-0.3V)/4.7kohm=1mA
电流上不是问题, 最大的问题是RL太大导致toff太慢,
规格书上RL=100ohm时toff大约是5us, 而您使用RL=4.7kohm实测跑到1xxus左右(看图)
所有现在要做两件事情:
1. 降低RL(看您想要将toff缩到多快, 这个规格书应该可以看到)
举例来说, 如果RL放100ohm, toff可缩短到约5us(如果规格书是正确的)
2. 调整IF
当RL=100ohm, IC会上升到(5V-0.3V)/100ohm=47mA
事实上我们不可能想要把电流操到这么高,
我们回来把RL放到1kohm, 此时IC大约是(5V-0.3V)/1kohm=4.7mA
如果您选择的时CTR=200%的产品, 理论上IF只要2.35mA就足够了, 但事实并非如此,
因为光耦商的CTR测试条件为IF=5mA/VCE=5V, 因此使用IF=2.35mA时, VCE至少要达到5V, IC才有可能是4.7mA
(这其中还没有考虑到IF=2mA时CTR大约只有IF=5mA的70%)
目前只能跟您说, 依目前的设计, R51不动, 将R52改成1kohm铁定有改善,
想要再更快可以再降R52, 但降到某个程度就需要把R51也降才行了