100uF/50V 的电容，容量较小，耐压指标较高。
而 470uF/16V 的电容，容量较大，耐压指标又低了许多。
所以，在同样的工作条件下，后者的漏电流相对较大，分流较大，致使充电电压不能达到开通MOS管的水平，继电器不动作。

解决办法：
1. 选择质量好一些的、漏电流小的电容。
2. 适当提高耐压值，漏电流会小一些。
3. 为了获得长延时，不要一味地加大电容容量。容量大，漏电流也大。
4. 适当减小电阻R6，也能起到增大延时的作用。

顺便在楼主问题之外啰嗦两句：
１　3.3V的电源，电压本来就低，又有二极管D1的正向压降损耗，是个不恰当的设计。
２　缺少为电容放电的机制，每次延时长短必定各不相同。所以，注定这个设计是不能满足使用要求的，是个失败的设计。

仅供参考。

最佳答案

应该是Q2控制极电压低，把3.3v电压提高试试

我能说焊错了吗，和漏电没有关系

太子的空间 发表于 2017-12-28 20:27
应该是Q2控制极电压低，把3.3v电压提高试试

这是单片机输出控制啊

JQ_Lin 发表于 2017-12-28 17:09
100uF/50V 的电容，容量较小，耐压指标较高。
而 470uF/16V 的电容，容量较大，耐压指标又低了许多。
所以，在同样的工作条件下，后者的漏电流相对较大，分流较大，致使充电电压不能达到开通MOS管的水平，继电器不动作。

好的  我会参考您的建议改进