2019-07-16 11:42发布
qingcaodi128 发表于 2018-1-2 16:04 单片机io口直接控制Q2的G极不就得了。
891888976 发表于 2018-1-1 20:06 楼主，你改进了吗？问题改善了没有？
JQ_Lin 发表于 2017-12-28 17:09 100uF/50V 的电容，容量较小，耐压指标较高。 而 470uF/16V 的电容，容量较大，耐压指标又低了许多。 所以，在同样的工作条件下，后者的漏电流相对较大，分流较大，致使充电电压不能达到开通MOS管的水平，继电器不动作。
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这里是要通过电容c1充放电达到延时的目的
没有啊 能力有限 有什么建议没
R6和C1不是形成房地那回路了吗
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