B_HONE 发表于 2017-12-21 13:54
有点听不懂呐
为什么Vgs值变小，Ib不变
近似C短路了，Ib就等于Vgs/Rs又是怎么来的

IB=ID+VB/（RS+S*Cgs），当低频时，可以认为IB=ID=Gm*Vgs，所以根据诺顿等效得出电阻基本Zo=1/Gm，频率增大，电容阻抗特性开始无法忽略，此时根据分压原理Vgs=VB/(Rs*S*Cgs+1)，则此时的输出电流IB=Gm*VB/(Rs*S*Cgs+1)+VB/(Rs+1/SC)，当Vgs没有被分压到低于Vth时，此时可以近似为IB=ID，根据诺顿定理算出输出阻抗Zo=VB/IB=（Rs*S*Cgs+1）1/Gm，当频率进一步增大时Vgs继续降低，当Vgs<Vth时，此时ID=0，IB=VB/(Rs+1/SC)，此时Zo=RS+1/S*C，因为SC较小，所以可以近似ZO=RS 最佳答案

这个得看MOS管是怎么做出了的来的，看模电的书

chenwei6991627 发表于 2017-12-21 10:42
这个得看MOS管是怎么做出了的来的，看模电的书

MOS管默认结型，通过微变等效能推出低频时阻抗为1/gm，但是没办法推出随着频率升高阻抗会升高

这个可以用模型来推，首先我们知道的是Gm.Vgs=Ib，反应的是VGS变化时Ib的变化，当低频时等效电容等效开路，此时Ib完全由VGS决定近似输出阻抗为1/Gm，当频率升高，电容的等效阻值s*C，导致Vgs的值会变小，而Ib的值不变，按照这个计算出来近似你上面罗列的公式，当频率越来越大，近似C短路，此时Ib的值等于VGS/Rs，此时输出阻抗就是Rs

提问的话可以写上标签，这样的话，论坛里关键词相同的帖子都会在你帖子下显示了。没准有跟你一样问题的