全桥驱动芯片去饱和引脚的问题

2019-07-16 11:45发布

【不懂就问】
如图,上面是看到ti设计资料里的一部分,是一款IGBT驱动芯片
其中在去饱和保护设计时,有这么一段说明
“在开关感性负载时,会导致IGBT续流二极管上出现较大的瞬时正向电压变化
这会使得DESAT引脚上出现较大的负电压尖峰,会从器件中消耗大量电流
为了将这些电流限制,可用一个100-1000Ω的电阻和DESAT二极管GL41Y串联
,再选用一个肖特基二极管MM3z12vb,效果更好
可以确保在低电平下,把DESAT输入钳位到GND”

【1】所说的肖特基二极管D2和R1连用,限制尖峰引起的电流,是什么工作原理?
【2】下图全桥中,当要导通上管时,u点相当于是地,但是下管不同,u点是悬浮的,如何确定?

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