本帖最后由 xiaxingxing 于 2017-12-13 17:58 编辑
打算用NMOS(IRF1010NS)管做电平转换器件,于是先
仿真,但是达不到预期的要求。1、如下图1所示,信号源600Hz时,符合预期。
2、如下图2所示,信号源600KHz时,不符合预期。当信号源为高电平4V时,NMOS管截止,输出电平不应该是6V吗,为什么只有3.6V呢?
通过上面两种频率的信号源对比,我以为是NMOS管的开关频率不够,但是我一查datasheet,发现其上升时间那些都是ns级别(见图3所示),其对应的开关频率至少10MHz级别。所以,从这点来看,应该不是mos管开关频率限制的原因啊。。
3、信号源频率为600KHz时,输出电平为什么达不到6V呢?要怎样改进呢?求各位大神指导,谢谢!
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对于高频来说更主要看电容的影响,因为你的输入电阻和电容会形成一个低通滤波器的效果,从而也会影响MOS管的开关特性,不过一般开关特性好的MOS管,你看它的输入输出电容一般也比较小的,这两个其实是相关的 最佳答案
超版能解释一下什么是 低阻信号吗?有那些例子是低阻信号。谢谢
给输出电容充电,为什么充不到6V呢?
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