本帖最后由 xiaxingxing 于 2017-12-13 17:58 编辑
打算用NMOS（IRF1010NS）管做电平转换器件，于是先仿真，但是达不到预期的要求。1、如下图1所示，信号源600Hz时，符合预期。
2、如下图2所示，信号源600KHz时，不符合预期。当信号源为高电平4V时，NMOS管截止，输出电平不应该是6V吗，为什么只有3.6V呢？
通过上面两种频率的信号源对比，我以为是NMOS管的开关频率不够，但是我一查datasheet，发现其上升时间那些都是ns级别（见图3所示），其对应的开关频率至少10MHz级别。所以，从这点来看，应该不是mos管开关频率限制的原因啊。。
3、信号源频率为600KHz时，输出电平为什么达不到6V呢？要怎样改进呢？求各位大神指导，谢谢！
打算用NMOS（IRF1010NS）管做电平转换器件，于是先仿真，但是达不到预期的要求。1、如下图1所示，信号源600Hz时，符合预期。
2、如下图2所示，信号源600KHz时，不符合预期。当信号源为高电平4V时，NMOS管截止，输出电平不应该是6V吗，为什么只有3.6V呢？
通过上面两种频率的信号源对比，我以为是NMOS管的开关频率不够，但是我一查datasheet，发现其上升时间那些都是ns级别（见图3所示），其对应的开关频率至少10MHz级别。所以，从这点来看，应该不是mos管开关频率限制的原因啊。。
3、信号源频率为600KHz时，输出电平为什么达不到6V呢？要怎样改进呢？求各位大神指导，谢谢！
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MOS管的米勒效应，使得MOS高频应用受输入电容影响，相当于降低了输入电阻，需要电流驱动。类似三极管低阻抗输入那样。所以才诞生了专用MOS驱动芯片，若不补偿修正，就会发生楼主遇到的现象。
推荐：MOS管的米勒效应-讲的很详细 https://wenku.baidu.com/view/008e60800722192e4436f644.html
选取Ciss更小的NMOS管，这样是可以的，但是输出受制于VGS的充放电效应也会产生一些毛刺，可以在此基础上更改电路结构，可以网上搜索下电平转换电路，应该有很多232转TTL的参考
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