关于mos隔离后上升沿问题

2019-07-16 12:12发布

我在设计电路时,从FPGA出来的方波波形是很好的,上升沿也是垂直上升的,但经过mos隔离后,上升沿时间变长不在垂直上升。现在想办法需要减少上升沿时间,我的解决方法是将d级上的上拉电阻减小,但在这里想问大家有没有更好的方法
电路 电路
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11条回答
yuangyc
1楼-- · 2019-07-16 16:57

您好,学习一下,资料很好,谢谢了,我是初学者,想多学点知识。
king飞
2楼-- · 2019-07-16 19:54
说的不一定对 仅供参考  可以试试
1   R350  100R电阻减小 看下波形
2   R350上  并联一个二级管看下波形
但是R350 过大有损耗  过小 EMC影响所有建议你看下MOS管得资料看看吧  网上我看有利用二极管和三极管来提升上升沿速度的 你找找  
heliu
3楼-- · 2019-07-16 20:02
驱动电流不足。可以把MOS管换成NPN的试试。不然就要加多个NPN管做E输出的电流放大。
月痕霜
4楼-- · 2019-07-16 20:04
king飞 发表于 2017-9-28 15:46
说的不一定对 仅供参考  可以试试
1   R350  100R电阻减小 看下波形
2   R350上  并联一个二级管看下波形

我有试过R350减小,但发现它对下降沿有影响,对上升沿影响不大
月痕霜
5楼-- · 2019-07-16 20:50
 精彩回答 2  元偷偷看……
szy123
6楼-- · 2019-07-16 21:51
R350前 后波形一样么?MOS的开关时间多少,你的方波周期多少

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