NMOS工作在可变电阻区以实现降低输入电压的作用

2019-07-16 12:29发布

先说一下这个问题的由来。板子最初的设计是24V输入,经过LDO芯片5V输出。此时明眼的朋友已经发现,这样使用,LDO的效率会很低,功耗很大。对,就是这样,环境温度高的时候就出问题了。
因为各种原因,换成DCDC的方案是不让用了。就这种情况,考虑的是串电阻和功率MOS,使功率MOS工作在可变电阻区,在进入LDO前使电压降到比较低的值,比如12V。
附件是加入的电路,实测确实达到了效果,板子工作的时候电流在70mA左右,Gate端的稳压管为15V,测得S端电压约为13V。从结果是算,MOS管确实工作在了可变电阻区。

我的问题是这个电路是怎么实现控制MOS管工作在可变电阻区的。Gate端的电压因为稳压管的存在,是固定在15V的。Vgs的电压是怎么得到的呢,就是怎么控制S端电压的呢?
希望大神给予解答,谢谢啦
NMOS.png
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8条回答
你若空灵
1楼-- · 2019-07-17 15:11
模拟电路书中有写:当Vds<=(Vgs-Vt)时,MOS管就工作在了可变电阻区。Vt大于1V,小于2V(我在datasheet中看到),楼主没有标明Vd电压有多少,C39的电压又有多少?结合Nmos管的曲线特性应该可以分析出来的
Tom112219868
2楼-- · 2019-07-17 17:10
MOS管工作在可变电阻区功耗大

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