基级输入是pwm，be那个2k电阻干嘛的呢？你用来稳压吗？？？，还有你确定电机的电流不超过8050的电流？

本帖最后由 青山90 于 2017-7-16 07:41 编辑

下面的理论是我在网上搜到的，和初学者分享一下

三极管饱和的时候并没有电阻的说法，而是三极管的饱和的时候会在CE极有压降，压降一般在1V左右。
　　三极管饱和：
　　1.在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶体管进入了初始饱和状态，实际上应该取该值的数倍以上，才能达到真正的饱和；倍数越大，饱和程度就越深。
　　2.集电极电阻 越大越容易饱和；
　　3.饱和区的现象就是：二个PN结均正偏，IC不受IB之控制。
　　饱和的条件： 1.集电极和电源之间有电阻存在  且越大就越容易管子饱和；2.基集电流比较大以使集电极的电阻把集电极的电源拉得很低，从而出现b较c电压高的情况。
　　影响饱和的因素：1.集电极电阻 越大越容易饱和；2.管子的放大倍数  放大倍数越大越容易饱和；3.基集电流的大小；
　　饱和后的现象：1.基极的电压大于集电极的电压；2.集电极的电压为0.3左右，基极为0.7左右（假设e极接地）
　　谈论饱和不能不提负载电阻。假定晶体管集-射极电路的负载电阻（包括集电极与射极电路中的总电阻）为R，则集-射极电压Vce=VCC-Ib*hFE*R，随着Ib的增大，Vce减小，当Vce<0.6V时，B-C结即进入正偏，Ice已经很难继续增大，就可以认为已经进入饱和状态了。当然Ib如果继续增大，会使Vce再减小一些，例如降至0.3V甚至更低，就是深度饱和了。以上是对NPN型硅管而言。
　　另外一个应该注意的问题就是：在Ic增大的时候，hFE会减小，所以我们应该让三极管进入深度饱和Ib>>Ic(max)/hFE，Ic(max)是指在假定e、c极短路的情况下的Ic极限，当然这是以牺牲关断速度为代价的。
　　注意：饱和时Vb>Vc，但Vb>Vc不一定饱和。一般判断饱和的直接依据还是放大倍数，有的管子Vb>Vc时还能保持相当高的放大倍数。例如：有的管子将Ic/Ib<10定义为饱和，Ic/Ib<1应该属于深饱和了。
　　从晶体管特性曲线看饱和问题：我前面说过：谈论饱和不能不提负载电阻。现在再作详细一点的解释。
　　以某晶体管的输出特性曲线为例。由于原来的Vce仅画到2.0V为止，为了说明方便，我向右延伸到了4.0V。
　　如果电源电压为V，负载电阻为R，那么Vce与Ic受以下关系式的约束：Ic = (V-Vce)/R
　　在晶体管的输出特性曲线图上，上述关系式是一条斜线，斜率是 -1/R，X轴上的截距是电源电压V，Y轴上的截距是V/R（也就是前面NE5532第2帖说的“Ic(max)是指在假定e、c极短路的情况下的Ic极限”）。这条斜线称为“静态负载线”（以下简称负载线）。各个基极电流Ib值的曲线与负载线的交点就是该晶体管在不同基极电流下的工作点。

至于三极管发热的问题，我在网上没有搜到答案。看过一些三极管耗散功率的介绍后，我有了猜想：
三极管的最大耗散功率Pcm只是表明三极管在这一值以下工作时三极管不会瞬间损坏，
但是三极管的实际耗散功率在某一值到pcm之间时，三极管是会发烫的。
                   （以上的想法是否正确？）
如果上面的想法正确，那现在的问题是：三极管的实际耗散功率选为多大时，三极管不会发烫？？

还有一个问题：三极管的耗散功率该怎么选择？
我猜想三极管的实际耗散功率在 ，某一个值到最大耗散功率之间时三极管会发烫。 如果我猜想的正确，那这个值该如何确定呢？

上面我的猜想可能是不对的 ，三极管发烫请参考下面的链接（很全面）

三极管发烫是怎么回事
http://bbs.elecfans.com/jishu_571758_1_1.html
(出处: 中国电子技术论坛)