buck电路上电烧双N沟道mos - 平头弟

buck电路上电烧双N沟道mos

2019-07-16 13:08发布

站内问答 / 电源技术

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大家好，48V转12V非隔离buck直流电路。现在把电子负载仪设定好满载上电测试会出现板子上其中一个mos（板子是两个mos并联开关）烧坏（N沟道G D S均导通了）的现象，把坏的mos换了再测就不会再出现问题。
我用示波器测良品mos DS电压最高是64V，低于手册标注的最高80V，栅极开启电压15V，低于手册标注的最高25V，mos开关的时间（上升沿和下降沿）够短，产品有限流保护，30A时电压会被拉很低9-10V。
请问该怎么去测量和分析？？谢谢了。

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10条回答

1楼-- · 2019-07-16 17:22

1.MOS的gate需要加下拉电阻；
2.两个MOS最好不要这样直接并联的，用电阻分开；
3.gate脚的驱动必须要有快速关断设计，最简单的方法就是用一个二极管(4148即可)反接；来降低关断损耗，你这个MOS的开启电流很大的

2楼-- · 2019-07-16 21:56

谢谢请问开启电流怎么看？

3楼-- · 2019-07-17 00:48

精彩回答 2 元偷偷看……

4楼-- · 2019-07-17 04:20

怎么分析哪方面直接加载会烧管子吗？

5楼-- · 2019-07-17 05:34

为什么不直接把MOS放低端呢？

6楼-- · 2019-07-17 08:38

并联MOS不平衡，应该布板有问题。

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