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分析双N沟道mos buck电路上电烧mos的原因
2019-07-16 13:19
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电源技术
6075
10
1517
大家好,在此发帖请教个问题,48V转13V非隔离buck直流
电路
。现在设定好25A负载后上电测试会出现板子上其中一个mos烧坏的现象,把坏的mos换了再测就不会再出现问题。
我用示波器测良品mos DS电压最高是64V,低于手册标注的最高80V,栅极开启电压15V,低于手册标注的最高25V,mos开关的时间(上升沿和下降沿)够短,产品有限流保护,30A时电压会被拉很低9-10V。
请问该怎么去测量和分析??谢谢了。
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10条回答
wenminglang
1楼-- · 2019-07-16 16:40
跟G S之间都没加电阻关系大不大?
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鑫12345
2楼-- · 2019-07-16 18:30
精彩回答 2 元偷偷看……
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广州洋钒
3楼-- · 2019-07-16 21:42
建立时间太长什么意思?有铝条散热,12V 25A长时间工作一会没事的
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yu1004402274
4楼-- · 2019-07-17 02:45
那你把C7增大一些试试看,比如说,同样的两个并联。
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广州洋钒
5楼-- · 2019-07-17 03:18
能告知根本点有可能是哪方面导致吗
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蔡甸一角
6楼-- · 2019-07-17 09:12
你良品MOS管DS都64V了,烧MOS的原因很有可能是过大电流时,PCB线上的寄生电感产生反向电动势,叠加在DS上,然后MOS就击穿了
1、你可以用示波器抓一下开关大电流是DS的实际峰值电压
2、用更高耐压的MOSFET试一下
3、你这个N-MOS电路简单的可以...
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