你能注意到用Qg来计算开启关断速度，而不是用栅极电容来计算，说明对MOS管已经入门了。
其实我们设计一个驱动和选择MOS时候，正常应该关心的是MOS管重要指标就是Qg而不是栅极电容。
根据I=Q/t，获得了具体MOS管Qg数据，和我们线路的电流能力，就可以获得ton=Qg/I。
比如2SK3192，它在VG=10V时候、VDD=100V Id=15A时候，Qg=95nC。很明显，如果我们用1A能力的芯片或者线路去驱动，我们可以获得最快95nS的开关速度（这里可以不需要算延迟时间，延迟只是时间轴上面平移，而不是斜率），由于一般来说，我们希望MOS管是慢开快关，所以，一般我们会用一个方向的4148，并联一个合适电阻，串联到驱动芯片--MOS管栅极。这样，当关断时候，驱动芯片直接通过4148到栅极，我们可以获得95nS的最快速度，而开启时候，驱动芯片通过串联的电阻到栅极，从而限制了驱动电流，实现慢开，通过调整该电阻，我们就可以获得需要的开启速度。

谢谢你的回复，是根据自己想要多长时间的开关管开关速度（不需看datasheet的开题上升延迟时间）而决定驱动电流，您看我这个理解对吗？

完全正确。

你这里必须注意到这样一个条件细节，RG=25Ω。
所以这个指标没什么参考意义。