2019-07-16 13:44发布
蔡显兵99 发表于 2018-7-17 15:29 给Q1的S提供一个参考电位。不过这个电路设计的有不合理吧，Q1为NMOS的话，那么Vgs>Vth，假设Q2导通，那么Q1的G级电压得>24V、、、、
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这个电路里为什么加两个2.7K的电阻，一直会产生功率浪费？它是哪个元件的 泄放电阻 吗？ 还是为了保证什么器件最小工作电流设置的？
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还有一个电涌控制芯片，会把Q1的G级电压提到33-35V.
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