你的步骤2证明了问题出在Q2。
从步骤1可见，貌似Q2的栅源之间有一容量很大的电容，放电时间太长，甚至会扩展输出脉冲宽度，影响调光。
通常PMOSFET的栅源极间电容也不会有如此之大的呀！
果断换一个Q2试试。



补充内容 (2017-1-22 10:01):
初看起来，貌似问题在Q2。
仔细再看，另有原因。
以上回复作废。

JQ_Lin 发表于 2017-1-20 15:11
你的步骤2证明了问题出在Q2。
从步骤1可见，貌似Q2的栅源之间有一容量很大的电容，放电时间太长，甚至会扩展输出脉冲宽度，影响调光。
通常PMOSFET的栅源极间电容也不会有如此之大的呀！

我刚查了一下这个PMOS的数据手册，图号是这样的：  这与普通的mos管相比好像栅极多了一部分？你知道区别吗

waynekuo 发表于 2017-1-20 11:55
我覺得跟Q2 P-MOS有關
可以換一顆不同P-MOS試試

不好意思哦，，，刚刚看数据手册发现，，我用的Q2 PMOS就是如下所示的！这两者有什么区别呢

本帖最后由 waynekuo 于 2017-1-20 17:14 编辑

张全武5 发表于 2017-1-20 15:51
不好意思哦，，，刚刚看数据手册发现，，我用的Q2 PMOS就是如下所示的！这两者有什么区别呢

這種MOS我也沒玩過ˋ
感覺是用在電池相關應用
(我只是猜測  MOS開關因為VGS有畫個電容  所以導通會比較慢)
如果你真想知道有什麼差別就要拿別顆MOS試試
如要試建議你VBAT先用POWER SUPPLY供應
還有那個VGS有個正反向的二極體感覺也怪怪的
零件在你手上  也只有你才能試阿
不然就看有沒有高手用過囉

图中没看清PWM周期是多少，MOS管开、关在高频切换时必须考虑自身的电容，把R3改成1K时，输出波形应该好些，最好把Q2驱动改成对管驱动(图腾柱)，即NPN和PNP两三极管配合控制Q2门极电压，用MOS组合也可以，目的是瞬时抬高或拉低电压，还有驱动电压高低得根据说明文档达到最优，一般大功率管驱动饱和电压≥12V，还有省事办法使用专用MOS驱动芯片，价格稍高