2019-07-16 13:55发布
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Jeikenfang 发表于 2016-12-26 15:48 可不可以不需要芯片，直接12V上电/下电来控制。输出电压还是120V。
18782458718 发表于 2016-12-26 17:35 mos管选好了吗，给我型号
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{var%20f='http://v.t.sina.com.cn/share/share.php?appkey=1515056452',u=z||d.location,p=['&url=',e(u),'&title=',e(t||d.title),'&source=',e(r),'&sourceUrl=',e(l),'&content=',c||'gb2312','&pic=',e(p||'')].join('');function%20a(){if(!window.open([f,p].join(''),'mb',['toolbar=0,status=0,resizable=1,width=440,height=430,left=',(s.width-440)/2,',top=',(s.height-430)/2].join('')))u.href=[f,p].join('');};if(/Firefox/.test(navigator.userAgent))setTimeout(a,0);else%20a();})(screen,document,encodeURIComponent,'','','https://www.xiaopingtou.cn/data/attach/logo/logo.png', '推荐 Jeikenfang 的问题《求助！想用NMOSFET来设计一个开关。》','https://www.xiaopingtou.net/q-59028.html','页面编码gb2312|utf-8默认gb2312'));){kind=link}
如果负载电流不大，PMOS能够胜任，还想控制简单，那最好还是用PMOS。
如果只能用NOMS那就不要想简单了，12V的电压是没有办法直接控制NMOS来实现120V电压开关的，因为随着NOMS 的导通，S极的电压也会升高，G极的12V电压是远远不够的。如果直接将12V升压到130V左右来进行控制，还要考虑最大Vgs可承受的电压，一般也就20V多些。
所以要通过专门的电路来实现根据负载电压升高和降低时的自举电路，能用集成芯片解决这个问题也就不简单了。
给你一份参考资料，你可以参考一下。
最佳答案
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可以啊！驱动芯片可以省！如果电路中有其它MCU,得要考虑隔离！
准备用英飞凌IPB036N12N3 G这款，因为这款Rds很小，不过价格偏贵。
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