2019-07-16 14:03发布
lth5329 发表于 2016-12-9 09:51 VCCBAT电压多高?二极管串联的电阻值太小了,IO口的吞吐电流最大25mA,这个片子最大的输入电流才150mA,先把这几个电阻换成1K的试一试。IO口直接驱动MOS,前面还串了一个1K的电阻,MOS几乎就是临界状态,而且开管时间也会很长。一般驱动MOS栅极都在14V左右吧。 ...
左耳朵的耗子 发表于 2016-12-9 09:25 不要用单片机的IO去推动,
q7727765 发表于 2016-12-09 10:01 1.mos不是压控元件嘛?按道理不是应该不向单片索取电流?io驱动有什么坏处呢? 2.mos管的G我现在是直接给的3.3v高电平,是不是电压太大了?要不要分压之后再进管子? 谢谢
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你好,我的电池是用1s锂电池来的,满电4.2v。
1.mos不是压控元件嘛?按道理不是应该不向单片索取电流?io驱动有什么坏处呢?
2.mos管的G我现在是直接给的3.3v高电平,是不是电压太大了?要不要分压之后再进管子?
谢谢回答
1.mos不是压控元件嘛?按道理不是应该不向单片索取电流?io驱动有什么坏处呢?
2.mos管的G我现在是直接给的3.3v高电平,是不是电压太大了?要不要分压之后再进管子?
谢谢
单片机推不动MOS管的,你可以查一下推动电路
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