tiangexiao 发表于 2017-11-8 17:20

不过我可以帮你翻译这个芯片的官方技术资料

原来开关是FDMC86183，但是效率太低，10V输入时70%。加上前面有两个导通时0.3V的二极管，效率64%左右。太低了。
为了解决这个问题，查看了电感数据表，2.9A饱和，没有什么影响。
查看MOSFET，发现和官网参考电压的FDS5670相比，似乎VGSTH 有点高。于是选择了FDMC8462
但是控制出现了问题。输出为0。为什么呢？
换上了原来的FDMC86183，可以输出10V。
如何选择MOSFET，这三个有区别么？效率问题是因为MOSFET么？

nMOS和整流二极管 峰值nMOS漏极电流是两个电感峰值电流之和： InMOSPEAK = ILpPEAK + ILsPEAK  而最大的漏源电压等于： VnMOSDSMAX = VINMAX + VD + VOUT  流过整流二极管的平均电流与输出电流一致，最大反向电压等于： VDREVMAX = VINMAX + VOUT  根据上面的公式选择两个功率器件的额定值

本帖最后由 tiangexiao 于 2017-11-8 18:59 编辑

king飞 发表于 2017-11-8 17:51
nMOS和整流二极管 峰值nMOS漏极电流是两个电感峰值电流之和： InMOSPEAK = ILpPEAK + ILsPEAK  而最大的漏源电压等于： VnMOSDSMAX = VINMAX + VD + VOUT  流过整流二极管的平均电流与输出电流一致，最大反向电压等于： VDREVMAX = VINMAX + VOUT  根据上面的公式选择两个功率器件的额定值
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输入最大24V，输出10V，最大34V；输入电流最大2A，输出电流最大1A，总共3A。
nMOS：FDMC86183：100V47V  VGSth_max=4V
           FDMC8462：20A40V     VGSth_max=3V
           FDS5670：  10A60V     VGSth_max=4V
实验时输入电压为5-15V试了一下，实际电压和最大25V，使用FDMC86183后，输出10V，但效率70%（不知原因）；FDS5670为官网参考设计，输入12V，输出5V2A，效率最大83%；使用FDMC8462，只有输入5V左右时可输出10V,其他输入条件下，输出0V，输入5V时效率大约80%。

二极管型号V25PN60：25A60V，额定电流时0.45V导通电压。

三个MOSFET的部分数据图