下面贴上关于Flash的代码



#include "msp430G2553.h"
unsigned int SegAddr = 0;
unsigned int SegPre = 0;

unsigned char Flash_Init(unsigned char Div,unsigned char Seg)
{
        if(Div < 1)
        {
                Div = 1;
        }
        if(Div > 64)
        {
                Div = 64;
        }
        FCTL2 = FWKEY + FSSEL_2 + Div -1;
        SegPre = Seg;
        if(Seg <= 31)
        {
                SegAddr = 0xFFFF - (Seg + 1) * 512 +1;
                return (1);
        }
        switch(Seg)
        {
        case 'A': case 'a':                SegAddr = 0x10C0;break;
        case 'B': case 'b':                SegAddr = 0x1080;break;
        case 'C': case 'c':                SegAddr = 0x1040;break;
        case 'D': case 'd':     SegAddr = 0x1000;break;
        default:        SegAddr = 0x20FF;return (0);
        }
        return (1);
}



unsigned char Flash_ReadChar(unsigned int Addr)
{
        unsigned char Data = 0;
        unsigned int *Ptr_SegAddr,temp = 0;
        if((SegPre <= 31 && Addr >= 512) || (SegPre > 31 && Addr >= 64))
        {
                return 0;
        }
        temp = SegAddr + Addr;
        Ptr_SegAddr = (void*)temp;
        Data = *(Ptr_SegAddr);
        return (Data);
}



char Flash_Direct_WriteChar(unsigned int Addr,unsigned char Data)
{
        unsigned int temp = 0;
        unsigned char *Ptr_SegAddr;
        if((SegPre <= 31 && Addr >= 512) || (SegPre > 31 && Addr >= 64))
        {
                return 0;
        }
        temp = SegAddr + Addr;
        Ptr_SegAddr = (unsigned char*)temp;
        FCTL1 = FWKEY + WRT;
        FCTL3 = FWKEY;
        _disable_interrupts();
        *Ptr_SegAddr = Data;
        while(FCTL3 & BUSY);
        _enable_interrupts();
        FCTL1 = FWKEY;
        FCTL3 = FWKEY + LOCK;
        return 1;
}

scott123 发表于 2014-7-10 17:48
印象中
是flash，不像是eeprom
只能重覆讀寫幾千次，eeprom才能到百萬次

也就是说不推荐用内部Flash？

本帖最后由 scott123 于 2014-7-11 08:50 编辑

印象中是FAE跟我說的
你應該先驗証這一個答案的真假
我只是寫好玩的，沒有去測試FLASH壽命
如果答案是真的
那可能就真的要儲存在EEPROM了